Вход |  Регистрация
 
 
Время электроники Среда, 17 января
 
 

Это интересно!

Новости


Обзоры, аналитика


Интервью, презентации

Ранее

Рынок полупроводников уменьшился, но долгосрочный прогноз хороший

Полупроводниковая промышленность в 2013 г. сократится на 0,5%, но вопреки сокращению и некоторой консолидации, долгосрочные перспективы роста остаются сильными.

Троицкий нанотехцентр накачивает мускулы

Троицкий нанотехцентр «Роснано» начнет работу в III квартале 2013 года. 20 стартап-компаний будут работать в области новой электроники, прикладных лазерных технологий, углеродных и композитных материалов, приборостроении и персональной медицины.

2013-й — год возможностей и рисков для индустрии светодиодного освещения

В 2013 г. Азия во главе с Китаем станет самым большим рынком для светодиодного освещения (39% от мирового). На страны Восточной Европы придется 30% мирового рынка, на Северную Америку – 20%, на Латинскую Америку 4%, а на остальные регионы Европы, Средний Восток и Африку – по 6%.

Реклама

По вопросам размещения рекламы обращайтесь в отдел рекламы

Реклама наших партнеров

 

13 февраля

Перспективы рынка силовых устройств на основе технологии GaN-on-Si

Какая из компаний станет первопроходцем в их коммерциализации? Аналитики Petrov Group представили свой рейтинг.



В

ажность технологии GaN-on-Si для преобразователей мощности (GaN Power), по убеждению Бориса Петрова, управляющего директора американской аналитической компании Petrov Group (Пало-Альто, Калифорния, США), на сегодняшний день стала очевидной. Она выгодна с экономической точки зрения и обеспечивает лучшие характеристики, не требует замены производственного оборудования. Ее продвижению способствуют глобальные рыночные стимулы, такие как эффективная генерация, распределение и потребление энергии. В разных странах идет коммерческое освоение данной технологии, которая одновременно рассматривается как самая перспективная «зеленая» технология.

Поскольку GaN Power имеет национальное значение, скорость ее внедрения в системах преобразования энергии будет наверняка выше, чем темпы освоения предшествующих кремниевых технологий. В настоящее время более 40 производителей полупроводниковых устройств и более 20 академических организаций и исследовательских центров работают над коммерциализацией этой технологии и внедрением ее в системы преобразования энергии.

Несмотря на это, остаются сомнения, что кремниевые подложки будут использоваться в высоковольтных устройствах (600-1200 В). У каких компаний больше всего шансов на лидерство в гонке за коммерческой реализацией технологии GaN Power?

Компания Venture-Q, которая специализируется на коммерциализации GaN-on-Si для преобразования энергии, оценила 14 лидеров по 7 критериям: исследовательские ресурсы и производственные возможности, финансовое положение, стратегическая важность технологии для компании, структура расходов, нерешенные проблемы, связанные с переходом на GaN-on-Si, патенты и заявки на патент.

Список компаний:

  • Alpha & Omega
  • Efficient Power Conversion (EPC)
  • Infineon
  • International Rectifier (IRF)
  • MicroGaN
  • Nitronex
  • Panasonic
  • Power Integrations
  • Renesas
  • Rohm
  • Toshiba
  • Transphorm
  • Sanken
  • STMicroelectronics

Табл. 1. Рейтинг производителей дискретных устройств GaN Рower (данные Petrov Group на конец 2012 г.)

Компания

Критерий

Всего баллов

Место

1

2

3

4

5

6

7

IRF

7

8

8

10

8

7

9

57

1

Infineon

7

9

8

7

7

9

4

51

2

Transphorm

8

6

6

10

4

8

8

50

3

STM

7

8

8

8

7

8

3

49

4

Sanken

8

8

8

3

7

6

7

47

5

Toshiba

8

8

8

3

7

6

6

46

6

Panasonic

8

8

8

7

7

4

3

45

7

Renesas

7

7

8

7

7

4

5

45

8

Rohm

8

8

8

2

7

4

4

41

9

EPC

2

5

2

10

8

8

5

40

10

MicroGaN

4

5

3

10

6

4

2

34

11

Alpha & Omega

2

3

5

6

8

4

2

30

12

Power Integrations

4

4

6

7

7

0

2

30

13

Nitronex

7

7

3

0

6

0

0

23

14


По оценке Venture-Q, первые три позиции на рынке дискретных силовых устройств на основе нитрида галлия занимают International Rectifier, Infineon и Transphorm, а среди производителей монолитных ИС —- International Rectifier, Sanken и Panasonic. Оценка произведена в основном по имеющимся патентам.

Примечательно, что среди 14 производителей больше всего патентов у International Rectifier и Sanken, но все может измениться.

До сих пор остается недопонимание технологии и барьеров, препятствующих коммерциализации. Пример неправильного видения – уверенность в том, что производители светодиодов являются наиболее вероятными претендентами на лидерство. Анализ Venture-Q показывает, что это не так. Наоборот, Борис Петров отмечает, что поставщики светодиодов не представляют опасности, поскольку они не способны обеспечить быстрый выход на рынок.

Главным препятствием на пути коммерциализации GaN-on-Si остается так называемый эффект коллапса тока, от которого пока невозможно избавиться, можно лишь ослабить его до приемлемого уровня. Производители прибегают к резервным тсратегиям, в т.ч. обедненным устройствам в каскодном включении с МОП-транзисторами или подложкам из карбида кремния, которые давно используются при изготовлении радиочастотных силовых устройств на основе нитрида галлия.

Табл. 2. Рейтинг производителей монолитных ИС GaN power (данные Petrov Group на конец 2012 г.)

Компания

Критерий

Всего баллов

Место

1

2

3

4

5

6

7

IRF

7

8

8

10

7

8

9

57

1

Sanken

8

8

8

8

7

7

7

53

2

Panasonic

8

8

8

7

7

6

7

51

3

STM

7

8

8

8

7

6

3

47

4

Transphorm

8

8

6

10

4

3

8

47

5

Renesas

7

7

8

7

7

4

2

42

6

Rohm

8

8

8

2

7

2

6

41

7

Infineon

7

9

8

7

7

2

1

41

8

Power Integrations

4

4

6

8

8

9

2

41

9

Toshiba

8

8

8

3

7

2

4

40

10

MicroGaN

4

5

3

10

6

2

2

32

11

EPC

2

5

2

10

8

2

1

30

12

Alpha & Omega

2

3

5

6

8

2

1

27

13

Nitronex

7

7

3

0

6

0

0

23

14


Производителей, вошедших в рейтинг Venture-Q, по технологической подготовке можно разделить на следующие группы:

  1. Производители радиочастотных схем, которым предстоит решить только одну сложность – осуществить переход с малого на высокое напряжение и с подложек SiC на чисто кремниевые.

  2. Поставщики эпитаксиальных подложек, перед которыми стоит еще одна проблема – разработка структуры высоковольтных силовых схем на основе нитрида галлия. Решение проблемы коллапса тока для них представляется очень затруднительным.

  3. Поставщики светодиодов, которые существенно отстают в гонке. Перед ними стоят три проблемы: создание эпитаксиальной подложки, разработка и изготовление высоковольтных устройств, применение кремниевых подложек.

  4. Производители кремниевых ИС, контрактные производители и производители подложек. Они идут в конце и им необходимо совершить гигантский скачок, чтобы вырваться вперед.

Производственные мощности – еще один важный аспект. На текущий момент только производители, имеющие собственные заводы, способны выпускать устройства GaN-on-Si. Стандартные услуги производителей пока не дотягивают до требуемого уровня, недостаточно библиотек устройств, средств разработки, проверенных методик проектирования и налаженного тех. процесса.

Читайте также:
Бизнес-модель Texas Instruments по версии Petrov Group
Сенсоры и МЭМС для систем с 10 степенями свободы: общий взгляд на актуальную проблему
Рынок силовой GaN-электроники ждут большие перемены
Plessey Semiconductors приобрела компанию CamGaN, получившую известность за создание технологии GaN-на-кремнии
«Нитрид галлия на кремнии» штурмует рынок светодиодов
Bridgelux и Toshiba объявили о создании светодиода GaN-на-Si
Toshiba становится самым важным игроком среди производителей кремниевых LED-подложек
Epistar разрабатывает 8-дюймовую Si-подложку для уменьшения себестоимости

Источник: DigiTimes

Оцените материал:

Автор: DigiTimes. Перевод: Екатерина Самкова



Комментарии

0 / 0
0 / 0

Прокомментировать





 

Горячие темы

 
 




Rambler's Top100
Руководителям  |  Разработчикам  |  Производителям  |  Снабженцам
© 2007 - 2018 Издательский дом Электроника
Использование любых бесплатных материалов разрешено, при условии наличия ссылки на сайт «Время электроники».
Создание сайтаFractalla Design | Сделано на CMS DJEM ®
Контакты