Вход |  Регистрация
 
 
Время электроники Воскресенье, 16 декабря
 
 

Это интересно!

Ранее

Электроника в России: как сделать шаг вперед

Одна из причин появления статьи – неконкурентоспособность российской электронной промышленности, которая, по мнению авторов, находится в глубоком структурно-технологическом кризисе. В статье рассматриваются современные бизнес-модели аутсорсинга, мотивы создания компаний с углубленной специализацией, возможности кооперации внутри отрасли и вопросы межотраслевого взаимодействия.

Золото стало очередной жертвой кризиса

Экономисты не исключают, что обвал мировых цен на золото может стать предвестником конца эры роста золотых цен, которая началась 12 лет назад. Драгметалл хорошо защищает от кризиса с инфляцией, но инфляция, которую все так ждали, так и не появилась.

Переоснащение производств без рынков сбыта — тупик в пути и деньги на ветер

Дмитрий Михайлович Боднарь — наш давний автор, и мы всегда охотно предоставляем ему возможность для публикаций. Его суждения могут показаться излишне резкими и категоричными, однако высокий профессионализм и жизненный опыт дают ему на это право.

Реклама

По вопросам размещения рекламы обращайтесь в отдел рекламы

Реклама наших партнеров

 

26 апреля

Гонка за 14-нм FinFET предполагает и перспективы, и риски

На ежегодной конференции Synopsys User Group в Санта-Кларе (США) группа экспертов, обсуждавших свой опыт работы с технологией FinFET, пришли к выводу, что она содержит как перспективы, так и риски, и ее час еще не настал.



П

о словам технических руководителей Globalfoundries, транзисторные 3D-структуры в 14-нм техпроцессе обещают рост быстродействия либо снижение энергопотребления более чем на 60% по сравнению с существующим 28-нм техпроцессом. Однако другие эксперты заявляют, что они увеличивают емкость затвора в расчете на один микрон, поднимая дюжину старых и новых конструкторских проблем.

FinFET имеет на 66% большую емкость затвора на микрон по сравнению с существующим 28-нм техпроцессом, возвращая нас к уровню 130-нм планарного техпроцесса, считает Энил Джейн (Anil Jain), вице-президент Cavium Networks по технологии ИС. Емкость снизит как быстродействие, так и динамическое энергопотребление для high-end-интегральных схем, сказал он.

«У нас есть прекрасные 3-D транзисторы, но мы не можем сильно разогнать их», – сказал Джейн, отметив, что «динамическое потребление выходит из под контроля». К тому же, «наши специалисты по высокопроизводительным компонентам не увидели значительного улучшения по уровню напряжения ядра».

Cavium оценивает увеличение емкости затвора в FinFET в 40%.
На рисунке: Нормализованная емкость затвора на микрон (в условных единицах)

Джейн обратился к производителям EDA (САПР) в поисках средств по улучшению контроля за энергией переключения и дефектами изолирующей электромиграции. «FinFET – это не просто миграция. В конце концов мы должны будем заплатить за нее, поэтому пожалуйста не сорите нашими деньгами», – добавил он.

Майкл Кэмпбелл (Michael Campbell), вице-президент Qualcomm по инжинирингу в группе конструирования ИС, сказал, что FinFET структуры на одной фабрике являются «подобными, но не точно такими» как на другой. «Вы можете проводить травление только в определенных направлениях и инструменты травления одинаковы, что приводит к некоторой схожести, но фабрики используют различные хитрости в пространственных стенках и диффузии», – отметил он.

Кэмпбелл заметил, что изображения 22-нм FinFET-транзисторов Intel показывают нерегулярно сужающиеся стенки, что может повлиять на модели плоскостных дефектов. «Это требует новых технологий контроля и невероятно глубокого партнерства для разработки должных систем контроля», – подчеркнул он.

Планируем микросхемы в конце 2014 года

Среди средств EDA, «Yield Explorer от Synopsys – это отличный инструмент, но все еще работает с планарной технологией, он нуждается в модернизации как 3-D инструмент», – сказал Кэмпбелл. «Средствам от Synopsys и других производителей сильно не хватает сжатия простых шаблонов ATE (автоматического испытательного оборудования), что может оказаться шагом назад в процессе поиска дефектов», – добавил он.

Джейн и Кэмпбелл – оба ожидают увидеть как первые 14-нм FinFET-микросхемы выйдут на рынок в конце 2014 г., если существующие проблемы будут услышаны.

«Я бы сказал, что техпроцессы близки к готовности, но технологические схемы все еще требуют доработки, – сказал Кэмпбелл. – Сегодня мы строим 14-нм FinFET тестовые микросхемы с 20 млн затворов, а коммерческие СнК могут содержать 2 млрд затворов», – отметил он, указывая один из ориентиров предстоящей работы.

Джоаким Кункель (Joachim Kunkel), генеральный директор группы IP-ядер Synopsys, предложил другой показатель прогресса.

Его группа в апреле 2012 г. изготовила методом двойного структурирования 20-нм тестовую микросхему, которая показала работу с MIPI, PCI Express и USB интерфейсами. Последующая 14-нм микросхема была более простым устройством, в основном, ориентированным на память, и она пока еще не вышла с фабрики.

«Конструктивные параметры FinFET сильно отличаются от параметров планарной технологии, – сказал Кункель. – Отличия между разными FinFET-техпроцессами, существующими сегодня на фаундри-фабриках, настолько значительны, что мы вынуждены начинать каждый раз с проектирования IP. Также большая часть FinFET-техпроцессов и проектных наборов находятся в стадии разработки, добавляя нам трудностей». FinFET «приведет к полной переоценке вашей архитектуры – как вы разделяете устройства и оптимизируете их — существует большое отличие», – сказал Кэмпбелл.


Майкл Кэмпбелл (Michael Campbell)

Тем не менее, «вся промышленность старается освоить первое поколение FinFET, считая, что пришло время объемов», – сказал Субрамани Кенгери (Subramani Kengeri), вице-президент конструкторских решений в Globalfoundries.

В погоне за 22-нм FinFET-техпроцессом Intel, который уже давно в массовом производстве, фаундри-производители согласились сделать два независимых шага. Во-первых, они приспосабливают для техпроцесса 20 нм двойное структурирование с 193-нм литографией. Затем они добавляют 14-нм FinFET в качестве front-end-устройства в техпроцесс, который все еще использует 20-нм основные элементы, сказал он.

Кю-Мюнг Чой, старший вице-президент центра проектирования инфраструктуры логики в Samsung, снова повторил обещание корейского гиганта освоить 14-нм FinFET-процесс до готовности к «пробному производству» к концу 2013 г. Оба, и Чой и Кэнгери, заявили, что работа над 14-нм техпроцессом идет в соответствии с планом в вопросах процента выхода годных и производительности.

Читайте также:
14 нм — очередная проверка закона Мура
Globalfoundries и Samsung в гонке за 14 нм
Globalfoundries начинает производство 14-нм FinFET-транзисторов
Tabula представит образцы 3D-ПЛИС на интеловском 22-нм FinFET-процессе
IBM, ARM и Cadence передали в производство первый 14-нм процессор
IBM обрисовала будущее микроэлектроники без технологии FinFET
IEDM: FinFET-технология Intel вызвала огонь критики конкурентов
Samsung представила чипы FinFET на 14 нм
22-нм технология FinFET от Intel: официальные и неофициальные подробности

Источник: EE Times

Оцените материал:

Автор: Rick Merritt, EE Times. Перевод: Валерий Передерий



Комментарии

6 / 6
1

11 мая, 17:04

DrON DrONыч

Интиресно, доживет ли сам Мур до конца действия своего \"закона\"? Которому осталось от силы еще лет 5, если не 3...

220 мая, 09:34

Andrew Vas

Ну так Мур всё-таки про количество логических элементов говорил. А там ограничения не через 3-5 лет наступят.

320 мая, 11:05

Закон Мура: это удвоение КОЛИЧЕСТВА элементов на ЧИПЕ каждые 2 (полтора в давней редакции) года

1. Переход на более тонкие технормы сейчас явно замедляется (14 и 10 нм), это будет уже не раз в два года.
2. Площадь элементов уменьшается не пропорционально "технорме" (сейчас это уже очень условное понятие), а заметно медленнее, поскольку у "затворов" есть еще и "обвязка", которая изготавливается по более грубым техпроцессам.
3. Поэтому чтобы строго следовать Муру, придется увеличивать ПЛОЩАДЬ чипов, их потребление и пр. А это всё упирается в размеры ИС и тепловыделение, которые не могут быть безудержно повышены (налицо как раз тенденции наоборот - уменьшать сами чипы и делать их менее горячими, более экономичными).
А значит у роста по Муру сейчас уже нет и рыночных предпосылок, не только технологических.

43 июня, 09:59

Леонид Чанов

re: Больше, чем Мур

Строго говоря, он о числе транзисторов говорил. Сейчас есть одна тонкость: системы в корпусе и 3D-топология. В одном корпусе упаковывается 2-3 кристалла. "Снаружи" это выглядит как одна микросхема.

53 июня, 17:06

Re: системы в корпусе и 3D-топология

Элементы=транзисторы, поскольку сейчас практически все радиоэлементы на кристаллах СБИС так или иначе реализуются при помощи топологии транзисторов.
А строго говоря, применительно к закону Мура уже давно говорят (и считают) не транзисторы, а ЗАТВОРЫ транзисторов на чипах. Intel - в первую очередь. :) Так и пишут - на нашем новом чипе столько-то gates. И понятно почему. :)
Да, пожалуй, только 3D-стеки ненадолго и спасут закон Мура, только его придется уже в который раз уточнять-переформулировать. :) Да и перегрев "бутербродов" еще никто не отменял (просто так два-три многоваттных чипа не склеишь) - а это одно из ключевых препятствий на пути у ЗМ.

63 июня, 17:11

ЗЫ. элементы

Да, разумеется, не стоит путать при этом радиоэлементы (транзисторы, диоды, конденсаторы и пр.) и логические вентили-ячейки. Считают для ЗМ именно первые - по "затворам".

6 / 6
1

Прокомментировать





 

 
 




Rambler's Top100
Руководителям  |  Разработчикам  |  Производителям  |  Снабженцам
© 2007 - 2018 Издательский дом Электроника
Использование любых бесплатных материалов разрешено, при условии наличия ссылки на сайт «Время электроники».
Создание сайтаFractalla Design | Сделано на CMS DJEM ®
Контакты