Вход |  Регистрация
 
 
Время электроники Понедельник, 18 декабря
 
 

Это интересно!

Ранее

Модули NAT-MCH с поддержкой PCIe Gen3

Модули NAT-MCH стали поддерживать PCIe Gen3.

Open-Silicon приобретает лицензии ARM

Компания Open-Silicon подписала многолетний и всесторонний лицензионный договор на использование широкой номенклатуры процессорных ядер и соответствующей интеллектуальной собственности ARM Holdings.

Apple официально представит новый айфон 4-го октября

Компания Apple разослала журналистам приглашения на мероприятие “Let’s Talk iPhone”, которое состоится утром 4 октября.

 

29 сентября

Intel и IBM вложат 4,4 млрд долл. в создание исследовательского центра

Группа компаний, возглавляемых Intel и IBM, в течение ближайших пяти лет инвестирует 4,4 млрд долл. в создание научно-исследовательского центра в Нью-Йорке, специалисты которого займутся разработкой полупроводниковых технологий следующего поколения.

И

нвестиции, главным образом, пойдут на реализацию двух проектов: один из них, направленный на создание полупроводников двух следующих поколений, возглавит IBM и ее партнеры, второй – Intel, занявшись подготовкой технологического процесса для 450-мм пластин.

В рамках сотрудничества в создании производства, работающего с 450-мм пластинами, к Intel примкнут компании IBM, Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Gloabalfoundries и Samsung Electronics.

Официальный представитель IBM заявил, что его компания и партнеры Samsung и Globalfoundries займутся разработкой 22- и 14-нм кристаллов. Из инвестированных 4,4 млрд долл. на два проекта 3,6 млрд долл. поступят от IBM. Таким образом, суммарные вложения этой компании в технологии создания кристаллов превысят 10 млрд долл. за последние 10 лет.

Ни одна частная компания, участвующая в этом договоре, не получит государственных инвестиций. Неизвестно, получат ли эти компании налоговые или другие льготы на реализацию проектов в Нью-Йорке. В качестве поддержки городская администрация инвестирует 400 млн долл. в ближайшие пять лет в научно-исследовательскую деятельность колледжа CNSE (College for Nanoscale and Science Engineering) в Олбани.

Для реализации двух научно-исследовательских программ потребуется создать около 4400 рабочих мест и сохранить еще 2500 существующих мест в Нью-Йорке. Из 4400 рабочих мест 2500 придется на долю специалистов в области высоких технологий.

Технологический переход с 300-мм кремниевых пластин на 450-мм позволит производить в два раза больше кристаллов из расчета на одну пластину. Поначалу поставщики оборудования противились переходу на пластины большего размера, но со временем приступили к созданию новых инструментов.

Источник: EETimes

Оцените материал:

Комментарии

0 / 0
0 / 0

Прокомментировать







 
 
 




Rambler's Top100
Руководителям  |  Разработчикам  |  Производителям  |  Снабженцам
© 2007 - 2017 Издательский дом Электроника
Использование любых бесплатных материалов разрешено, при условии наличия ссылки на сайт «Время электроники».
Создание сайтаFractalla Design | Сделано на CMS DJEM ®
Контакты