Toshiba начинает выпуск белых светодиодов GaN-на-Si нового поколения


Новое поколение светодиодов мощностью 1 Вт снижает затраты на освещение общего и промышленного назначения.

Компания Toshiba Electronics Europe (TEE) анонсировала первые устройства, относящиеся ко второму поколению выпускаемых компанией светодиодов белого свечения LETERAS, изготавливаемых по технологии «нитрид галлия на кремнии» (GaN-на-Si). Светодиоды TL1F2 мощностью 1 Вт являются экономичной альтернативой существующим светодиодным устройствам и позволяют снизить затраты производителям светодиодного освещения общего и промышленного назначения.

Высокоэффективные белые светодиоды обычно изготавливались на дорогостоящих сапфировых подложках относительно небольшого размера — 100 или 150 мм. В качестве альтернативы компания Toshiba разработала технологию светодиодов на основе нитрида галлия (GaN), которые можно производить, используя более доступные по цене кремниевые подложки размером 200 мм. Замена дорогостоящих сапфировых подложек более доступными кремниевыми подложками приводит к снижению затрат и позволяет использовать существующее производство изделий из кремния.

Светоотдача светодиодов белого свечения TL1F2 выше, чем у серии TL1F1, благодаря оптимизации корпуса и повышению оптической выходной мощности светодиодных кристаллов на основе нитрида галлия. Серия TL1F2 имеет коррелированную цветовую температуру в полном диапазоне от 2700 до 6500 °K и минимальную светоотдачу 80 и 70 соответственно. Типовой световой поток светодиодов мощностью 1 Вт находится в диапазоне от 104 до 135 люменов в зависимости от цветовой температуры и светоотдачи.

Новые устройства поставляются в стандартном корпусе 6450 размером 6,4 х 5,0 х 1,35 мм. Типовой ток возбуждения (Iв) равен 350 мА, а типовое прямое напряжение (Uп) равно всего лишь 2,85 В, что позволяет конструкторам снизить потребление электроэнергии системой. Диапазон рабочей температуры от –40 до +100 °C позволяет использовать серию TL1F2 и в помещениях, и снаружи в таких областях применения, как светильники, потолочное освещение, уличное освещение, фары и прожекторы заливающего света.

Начало массового производства серии TL1F2 запланировано на ноябрь 2013 года.

Читайте также:
«Нитрид галлия на кремнии» штурмует рынок светодиодов
Imec и Veeco объединяют усилия по созданию устройств «нитрид галлия на кремнии»
Перспективы рынка силовых устройств на основе технологии GaN-on-Si
Plessey приобретает технологию производства мощных светодиодов
Начинающая компания получает инвестиции для производства пластин GaN-на-Si

Источник: пресс-релиз

Оставьте отзыв

Ваш емейл адрес не будет опубликован. Обязательные поля отмечены *