Созданы микродатчики Холла для работы в космосе и на АЭС


Команда исследователей технологического университета Тёхаши (Япония) разработала GaN-датчики Холла, предназначенные для работы на борту космических аппаратов и на территории атомных электростанций.

Исследователи Технологического университета Тоёхаши (Toyohashi University of Technology), далее ТУТ, выявили наличие эффекта Холла у датчиков магнитного поля, которые работают в условиях высоких температур и жесткого радиационного излучения. Датчики могут найти применение в космических аппаратах и атомных электростанциях.

Команда исследователей ТУТ выявила эффект Холла у датчиков на основе гетероструктур нитрида галлия с двумерным электронным газом, работавших при температуре около 400ºС и в условиях жесткого радиационного излучения.

В электронной промышленности широко применяются кремниевые и гетероструктурные датчики магнитного поля, работающие на эффекте Холла, для создания оборудования контроля вращения различных узлов, например, оптических дисков памяти или в узлах аутентификации банкнот в торговых автоматах. Тем не менее, использование датчиков Холла для контроля магнитных полей в космических аппаратах и атомных электростанциях является более сложной задачей из-за значительных колебаний температуры и наличия жесткого радиационного излучения в окружающей среде.

Исследователи ТУТ для изготовления высокочувствительных датчиков магнитного поля на эффекте Холла использовали гетероструктуры AlGaN/GaN с двумерным электронным газом. В результате, датчик устойчиво работал при высоких температурах и значительном уровне протонного облучения.

Примечательно, что AlGaN/GaN-микродатчики Холла были стабильными как минимум до 400ºС, в то время как датчики, изготовленные на основе GaAs и InSb, деградировали уже при температурах порядка 120ºC.

Сканированное изображение датчика Холла при температурах 25-100ºС и при внешнем перпендикулярном магнитном поле 150 Э

Более того, подвижность электронов и плотность двумерного электронного газа холловских микродатчиков на  AlGaN/GaN лишь немного изменялась под действием дозы облучения потонами в 1×1013 смˉ² с энергией 380 кэВ.

Исследователи активно ищут партнеров в промышленности для осуществления дополнительных исследований свойств датчиков Холла на основе 2DEG-AlGaN/GaN для создания надежных устройств, работающих при высоких температурах и в суровых условиях радиации.

Потенциальное применение таких микродатчиков также включает сканирование расположения ферромагнитных доменов на поверхности постоянного магнита. На приведённом рисунке, предоставленном одним из исследователей Адарш Санду (Adarsh Sandhu), демонстрируется изображение магнитных доменов в ферромагнитных материалах, полученное при помощи микродатчика Холла с AlGaN/GaN при высокотемпературном сканировании зондовым холловским микроскопом (Scanning Hall Probe Microscope, SHPM).

Источник: ScienceDaily

Читайте также:
Двухканальный датчик Холла для жестких условий эксплуатации
A1171 – микромощный датчик Холла
PTS 0603, PTS 0805 и PTS 1206 — платиновые датчики температуры с временем отклика 5 с

Оставьте отзыв

Ваш емейл адрес не будет опубликован. Обязательные поля отмечены *