Исследователи из Государственного университета Северной Каролины создали первые функциональные оксидные тонкие пленки p- и n-типа для электронных устройств.
Исследователи считают, что эти пленки могут с успехом использоваться в более мощных электронных устройствах и интеллектуальных датчиках нового вида, т.к. впервые в одном оксидном материале были получены положительно и отрицательно заряженные области проводимости (p- и n-типа). Таким образом, можно говорить о новой эпохе в развитии оксидной электроники.
 |
Основу функциональных электронных устройств составляют материалы с p-n-переходом, в котором взаимодействуют положительно и отрицательно заряженные частицы. Возможности твердотельной полупроводниковой электроники в большей мере ограничены диапазонами рабочей мощности и температуры по сравнению с оксидными материалами. Однако исследователям не удавалось создать эффективный p-n-переход в этих веществах.
Наконец, группа ученых под руководством д-ра Джея Нарайана (Jay Narayan) решила эту задачу, использовав одинаковый материал для реализации проводимости p- и n-типа. Исследователи воспользовались лазерами для создания тонких пленок положительно заряженного оксида никеля (NiO), а затем изменили проводимость их верхнего слоя на n-тип. Управляя толщиной n-слоя, ученые изменяли глубину и характеристики p-n-перехода.
Поскольку оксидные материалы выдерживают большие напряжения и температуры, чем электронные устройства на основе кремния, эти материалы можно использовать для создания высоковольтных ключей и датчиков, применяемых в условиях повышенных температур.
Источник: ScienceDaily
Читайте также:
Исследование псевдозоны может стать ключом к получению сверхпроводящего состояния при комнатной температуре
Технология напыления тонких пленок