Разработана низковольтная ReRAM-память, хранящая до 9 бит в ячейке


Разработка ученых из университета Райса позволит в будущем обеспечить мобильные устройства памятью, объем которой будет значительно превосходить возможности современных смартфонов и планшетов.

Речь идет о резистивной памяти с произвольным доступом (ReRAM). Причем, весьма важно, что для производства новой памяти вполне подходит существующее сегодня оборудование. Ячейка памяти, разработанная учеными, представляет собой два электрода из платины или золота, между которыми помещен диэлектрик из пористого оксида кремния. Прикладывая к пластинам напряжение, можно формировать или разрушать в ячейке проводящий канал, в результате чего логическое состояние ячейки меняется.

Благодаря применению оксида кремния в новой ReRAM-памяти удалось снизить затраты при перезаписи за счет уменьшения напряжения питания с 26 до 2 В, и увеличить устойчивость ячеек к нагреву. По плотности разработка значительно превосходит существующую сегодня флеш-память. При этом ячейка ReRAM является многоуровневой и позволяет хранить до 9 бит информации (TLC NAND хранит до 3-х бит). Участники проекта полагают, что чип размером с почтовую марку, созданный с использованием новой технологии, сможет хранить до 1 Тбайт информации.

В настоящее время ученые заняты вопросом лицензирования своей разработки.

Читайте также:
Sony и Micron Technology представили быструю память ReRAM плотностью 16 Гбит
ReRAM-память можно использовать в 28-нм техпроцессе создания логики
Исследователи заявили о создании кремниевого мемристора
Новая электроника: из цепей мемристоров создадут принципиально новые компьютеры
ARM, Atom и мемристоры — будущее серверов, считают в HP Labs
Мемристору – двести лет
Создан первый гибкий мемристор
И снова — шумный спор о мемристорах
Теория мемристора несостоятельна?
Мемристоры скоро заменят DRAM и флеш-память
Память на мемристорах будет работать подобно мозгу человека
HP и Hynix объединяются для коммерциализации мемристора
Hewlett-Packard ответила на критику о несостоятельности теории мемристоров

Источник: Университет Райса

Оставьте отзыв

Ваш емейл адрес не будет опубликован. Обязательные поля отмечены *