Samsung начала массовый выпуск модулей памяти DDR4 на базе технологии 3D TSV

Стали известны подробности о начале серийного производства модулей DDR4 RDIMM 64 Гбайт компанией Samsung Electronics. В новых модулях применяется технология пакетов 3D TSV.

Модули памяти с высокой плотностью будут играть ключевую роль в развитии облачных приложений и корпоративных серверов, и в дальнейшей диверсификации решений, используемых в центрах обработки данных.

В составе новых RDIMM-модулей – 36 чипов DDR4 DRAM, в каждом из которых имеется четыре 4-Гбит кристалла DDR4 DRAM. Чипы отличаются низким энергопотреблением и производятся с применением техпроцесса класса 20 нм по технологии пакетов 3D TSV.

«Представив энергоэффективные модули DDR4, созданные с использованием технологии 3D TSV, мы сделали значительный шаг по направлению к массовому рынку памяти DDR4, который во второй половине этого года должен значительно расшириться за счет ожидаемого появления ЦП нового поколения», – говорит вице-президент отдела маркетинга решений памяти компании Samsung Electronics Джихо Баик.

В компании отмечают, что в целом серийный выпуск модулей 3D TSV означает новый этап в истории технологий памяти, наступивший после того, как Samsung первой приступила к производству флеш-памяти 3D Vertical NAND (V-NAND) в 2013 г. Если в технологии 3D V-NAND задействованы высокие вертикальные структуры массивов ячеек, расположенных внутри монолитного кристалла, то 3D TSV – это другая, инновационная технология построения пакетов, позволяющая производить соединения вертикальных слоев кристаллов, говорят в Samsung.

«Для получения пакета 3D TSV DRAM кристаллы DDR4 стачиваются с целью получения толщины всего лишь в десятки микронов, и после этого в кристаллах создаются сотни микроскопических отверстий. Они соединяются между собой вертикально при помощи электродов, пропускаемых через отверстия, – объясняют представители Samsung. – Именно поэтому новый модуль 64 Гбайт TSV обладает в два раза большей производительностью в сравнении с модулем 64 Гбат, в пакетах которого применяется проводной монтаж. Помимо этого, энергопотребление таких модулей снижается примерно в два раза».

В Samsung полагают, что в будущем возможно будет соединять между собой более четырех кристаллов DDR4, применяя технологию 3D TSV, благодаря чему можно будет создавать DRAM-модули с еще большей плотностью. Это позволит ускорить развитие рынка решений памяти премиум-уровня, а также приблизит переход с памяти типа DDR3 на память DDR4 на серверном рынке.

Компания Samsung занимается оптимизированием технологии 3D TSV с того самого момента, когда были впервые разработаны модули 8 Гбайт DRAM RDIMM 40-нм класса в 2010 г., а также модули 32 Гбайт DRAM RDIMM 30-нм класса в 2011 г., в которых была задействована технология 3D TSV. В текущем году Samsung начала применять новую систему производства пакетов TSV, предназначение которой – серийный выпуск новых модулей для серверов.

По информации компании Gartner, мировой рынок DRAM, согласно прогнозам, должен достигнуть объема в 38,6 млрд долл. и 29,8 млрд ед. (эквивалент 1 Гбит) к концу этого года. Аналитики прогнозируют также, что на серверный рынок в этом году придется более чем 20% производства всех модулей DRAM, что соответствует примерно 6,7 млрд ед. (эквивалент 1 Гбит).

Источник: Itersnews.com

Оставьте отзывОтмена