Первые проекты для 10-нм техпроцесса ARM и TSMC ожидают в конце 2015 года

Компании ARM и TSMC опубликовали 2 сентября совместный пресс-релиз, в котором сообщили некоторые детали касаемо планов по переходу на 10-нм техпроцесс с применением «вертикальных» FinFET-транзисторов.

Как сообщается, первые цифровые проекты или tape-out с нормами 10 нм, которые используются в качестве источника для изготовления фотошаблонов в полупроводниковой литографии, ожидаются не позднее IV кв. 2015 г. В результате партнеры смогут на практике испытать 10-нм техпроцесс с применением FinFET-транзисторов в том же году.

По сути ARM и TSMC делают заявку на то, что они приблизятся вплотную к возможностям компании Intel, которая собирается начать производство 10-нм процессоров в 2016 г. Как правило, Intel начинает массовое производство своих новых решений в IV квартале. В этом случае массовый выпуск 10-нм процессоров должен начаться в IV кв. 2015 г., но из-за последних задержек можно ожидать переноса этого процесса на середину 2016 г. В том случае, если ARM и TSMC осуществят свои планы, массовое производство полупроводников по технормам 10 нм на линиях тайваньского контрактника может также начаться с середины 2016 г. В результате тайваньский производитель может уменьшить отставание от компании Intel на срок от 2–2,5 лет до полугода, либо даже меньше.

Следует также отметить, что к 10-нм FinFET техпроцессу адаптируется 64-разрядная архитектура ARM (ARMv8), притом, что ранее компания TSMC склонялась к старту производства в виде GPU или FPGA-матриц компаний AMD и NVIDIA. Добавим, что хотя TSMC не сообщает детали нового техпроцесса, ранее уже было сообщение, что по сравнению с техпроцессом 16FinFET+ решения на основе 10FinFET окажутся на 25% быстрее, либо позволят уменьшить потребление без ухудшения производительности на 45%. При этом плотность размещения транзисторов будет увеличена в 2,2 раза.

Источник: TSMC

Оставьте отзывОтмена