Компания HVVi Semiconductors, разработчик мощных СВЧ транзисторов для радаров и авиационных систем, предлагает [[новую HVVFET™ технологию изготовления мощных полевых транзисторов,]] которая позволяет получать приборы, по ширине полосы, усилению и уровню мощности значительно превосходящие кремниевые и LDMOS транзисторы.
По заявлению компании, новая революционная запатентованная технология HVVFET (High Frequency, High Voltage Vertical Field Effect Transistor) с вертикальной структурой позволяет изготавливать приборы, близкие по своим параметрам к не кремниевым транзисторам, но значительно их дешевле.
HVVFET транзисторы обеспечивают импульсную мощность до 300 Вт на частотах до 1400 МГц, предназначены для работы в L-диапазоне (L-band) в режимах IFF, TCAS, TACAN и Mode-S. Напряжение питания приборов от 24 до 48 В, коэффициент усиления 15 дБ, кпд 48% при ширине импульса 50 и периоде 1 мс, VSWR 20:1 при полной номинальной выходной мощности.
Компания предлагает три новых HVVFET транзистора — HVV1214-025, HVV1214-100 и HVV1011-300 для коммерческих и военных авиационных систем и наземных радиолокационных станций.
HVV1214-025 выпускаются в корпусах для поверхностного монтажа и предлагаются по $135.69 в количестве от 1 до 24 штук. Транзисторы HVV1214-100 и HVV1011-300 выпускаются в стандартных корпусах с фланцами и предлагаются по цене $226.15 и $398.31 в малых количествах. Серийное производство приборов начнется в третьем квартале 2008 г.
Дополнительная информация здесь: HVV1214-100.
