Полевые транзисторы серии CoolMOS предназначены, прежде всего, для применения в импульсных источниках питания в таких приложениях, как LCD телевизоры, солнечные батареи, телевизионные приставки, осветительные системы
Новая серия транзисторов выпускается в стандартных корпусах и имеет следующие характеристики по сопротивлению сток-исток во включенном состоянии R DS(on): 120 мОм (для корпуса TO-247) 340 мОм (ТО-220) и 1200 мОм (D-PAK). Приведенные значения более чем на 75% меньше, чем у стандартных V-MOSFET силовых транзисторов.
Доступны для заказа образцы транзисторов в корпусах ТО-220, ТО-247, (сопротивление канала 340 мОм) и в корпусе D-PAK (сопротивление канала 1,2 Ом). Цена на лучший в серии 120 мОм транзистор в корпусе ТО-247 при заказе партией ожидается ниже €2,4.
| IPI90R1K2C3 | PG-TO262-3 | 900.0 В | I2-PAK (TO262) | 1.2 Ом |
| IPP90R340C3 | PG-TO220-3 | 900.0 В | TO220 | 0.34 Ом |
| IPP90R340C3 | PG-TO220-3 | 900.0 В | TO220 | 1.2 Ом |
| IPA90R1K2C3 | PG-TO220-3 | 900.0 В | TO220 FullPAK | 1.2 Ом |
| IPW90R1K2C3 | PG-TO247-3 | 900.0 В | TO247 | 1.2 Ом |
| IPW90R340C3 | PG-TO247-3 | 900.0 В | TO247 | 0.34 Ом |
| IPW90R120C3 | PG-TO247-3 | 900.0 В | TO247 | 0.12 Ом |
Дополнительная информация здесь.