Hynix Semiconductor выпускает 66нм память mobile DRAM плотностью 1 Гбит


Компания Hynix Semiconductor анонсировала выпуск самой миниатюрной в отрасли [[динамической памяти]] для мобильных устройств (mobile DRAM) плотностью 1 Гбит

Память этого типа широко используется в сотовых телефонах, цифровых камерах, КПК, универсальных проигрывателях и навигаторах. Новая память Hynix удовлетворяет всем требованиям, предъявляемым к памяти для современных мобильных устройств, сочетая высокую плотность и производительность, малое энергопотребление и размеры.

По данным компании, новинка стала первой коммерчески доступной памятью mobile DRAM плотностью 1 Гбит, выпускаемой с использованием 66-нм техпроцесса, разработанного специалистами Hynix. Уменьшение норм позволило уменьшить размеры чипов и энергопотребление, одновременно повысив их быстродействие.

Память рассчитана на работу с максимальной тактовой частотой 200 МГц, что соответствует пропускной способности до 1,6 Гбит/с в случае использования 32-разрядного интерфейса ввода-вывода.

Новая память вошла в семейство решений «One Chip Solutions», характерной чертой которых является объединение интерфейсов SDRAM/DDR и логической организации x16/x32 в одном чипе. Опция выбора логической организации и интерфейса дает Hynix возможность гибко реагировать на требования заказчиков.

Массовый выпуск памяти компания обещает начать в первом квартале 2008 года. Память будет доступна, как часть решения «NAND flash Multi-Chip Package (NAND MCP)», объединяющего DRAM и NAND в одном корпусе, «package-on-package (POP)» и «KGD (Known Good Die)» (последний вариант предназначен для использования в однокорпусных системах (System in Package, SIP) (по материалам DigiTimes).

Оставьте отзыв

Ваш емейл адрес не будет опубликован. Обязательные поля отмечены *