Samsung Electronics Со. Ltd. и Hynix Semiconductor Inc. будут сотрудничать в разработке устройств памяти следующее поколения, включать [[MRAM]], сообщает The Korea Times
Две компании совместно инвестируют 9 млрд. вон ($9.5 млн.) в научно-исследовательскую программу (R&D), поддерживаемую государством? со сроком окончания в 2011 году. Общие ассигнования на проект составят 52.58 млрд. вон ($55.4 млн.).
Компании будут разрабатывать память MRAM STT типа (spin-torque-transfer), а также другие виды перспективной памяти.