Микросхема FM22L16 получила награду [[«Продукт года»]] по версии EPC (Electronic Products China). Она обошла сотни других претендентов по новизне разработки, отношению цена/качество и технологическому прорыву.
Микросхема была разработана совместно с Texas Instruments и основана на совершенно новом подходе, способном изменить принципы построения современных схем памяти.
Это первая 4 Мбит энергонезависимая F-RAM память. FM22L16 имеет организацию 256Кх16, параллельный метод доступа, питается от источника 3 В, выпускается в 44-выводных корпусах TSOP и рассчитана на работу в промышленном диапазоне температур от -40 до 85°С. Время доступа составляет 55 нс, а один такт занимает 110 нс. Данные могут перезаписываться 1014 раз и храниться в течении 10 лет.
Микросхема FM22L16 совместима со стандартными асинхронными статическими ОЗУ, но обладает лучшими характеристиками. В частности, для нее не требуется батареи аварийного питания, что существенно повышает надежность системы. Вторым ее преимуществом является неподверженность действию влаги, сотрясениям и вибрации.
Микросхема FM22L16 является одной из самых быстрых на рынке. Ее пропускная способность составляет 80 Мбайт/с. Она очень экономна и потребляет ток 18 мА в циклах записи и чтения и 5 мкА в спящем режиме.
Более подробную информацию о FM22L16 и других микросхемах FRAM с высокой степенью интеграции можно узнать здесь