Научно-образовательный центр (НОЦ) «Нанотехнологии» Томского университета систем управления и радиоэлектроники (ТУСУР) совместно с институтом СВЧ-полупроводниковой электроники РАН разработали первый в России малошумящий усилитель миллиметрового диапазона.
Как сообщил агентству «Интерфакс-Сибирь» заместитель директора НОЦ «Нанотехнологии» Леонид Бабак, новая разработка может применяться в устройствах для высокоточной радиолокации ближнего действия, приборах для передачи большого объема данных, системах высокоточного оружия и навигации.
«По своим характеристикам усилитель превосходит зарубежные аналоги. До сих пор в России таких устройств никто не делал. Их ждут и гражданские, и военные заказчики», — отметил Л.Бабак. О параметрах усилителя не сообщается.
Он пояснил, что проектные работы были выполнены в лаборатории интеллектуальных компьютерных систем, входящей в состав НОЦ «Нанотехнологии». Опытное производство изделия разворачивается на базе института СВЧ-полупроводниковой электроники РАН. В качестве потенциального заказчика, по словам Л.Бабака, рассматривается концерн «Радиотехнические и информационные системы» («РТИ Системы», входит в АФК «Система»).
Аналогичные работы ведутся в Институте СВЧ-полупроводниковой электроники РАН на коротко-канальных НЕМТ (High Electron Mobility Transistor) транзисторах на квантово-размерных гетероструктурах полупроводниковых соединений А3В5, обеспечивших создание самых высокоскоростных 3-электродных твердотельных приборов. С применением этой технологии разработаны первые отечественные коротко-канальные наногетероструктурные НЕМТ транзисторы, включая:
1) 190 нм-N-In0,52Al0,48As/In0,53Ga0,47As/In0,52Al0,48As/InР — НЕМТ с рекордно высокой собственной частотой усиления по мощности fmax=271 ГГц, предназначенный для СВЧ МИС мм-диапазона на частоты до 100 ГГц;
2) 170 нм- N-Al0,27Ga0,73As/In0,19Ga0,81As/Al0,27Ga0,73As/GaAs Р-НЕМТ — с рекордно низким коэффициентом шума Кш=0,37дБ на частоте f=10ГГц, предназначенный для МИС малошумящих усилителей в радиолокаторах на активных фазированных антенных решетках (АФАР) Х-диапазона (8-12ГГц);
3) «Мощный» 0,25 мкм- N-Al0,27Ga0,73As/In0,19Ga0,81As/Al0,27Ga0,73As/ GaAs- НЕМТ с рекордно высокой выходной мощностью Рвых=1,1Вт/мм и кпд=47-50% на частоте f=10ГГц, предназначенный для МИС выходного усилителя мощности в радиолокаторах на АФАР Х-диапазона;
4) 170 нм- AlGaN/GaN- НЕМТ с рекордно высокой для этой гетеросистемы собственной предельной частотой усиления по мощности fintmax=107ГГц, предназначенный для МИС выходного усилителя мощности радиолокаторов см- и мм-диапазонов (совместная разработка с С.Петербургским НОК «Физико-технологический НОЦ» РАН).