На создание высокоточного оружия выделят 8 млрд рублей


Столичный завод «Пульсар» и еще три предприятия, выпускающие электронные компоненты для радиолокации и систем наведения, объединят в кластер

Объединение четырех предприятий, выпускающих электронные компоненты для радиолокации и систем наведения, должно обеспечить новой элементной базой российское высокоточное оружие. Холдинг «Росэлектроника» («дочка» госкорпорации «Ростех») создает кластер на базе московского предприятия «Пульсар».

Фото: gz-pulsar.ru

– Предстоит серьезная модернизация, внедряемые технологии позволят заглянуть в новый этап развития вооружений. За пять лет в новую площадку инвестируют 8–10 млрд руб., 70% из них – бюджетные средства, кроме того, будем инвестировать прибыль, использовать кредиты и лизинг, – сообщил «Известиям» гендиректор ОАО «Государственный завод «Пульсар» Валерий Буробин. По его словам, это беспрецедентная сумма – за последние 10 лет «Пульсар» получил всего порядка 150 млн руб.

Гендиректор «Росэлектроники» Андрей Зверев подтвердил, что вложения уже утверждены.

– На модернизацию технологических линий создаваемого кластера планируем инвестировать порядка 8 млрд руб., – рассказал глава компании.

К «Пульсару» присоединят три столичных ОАО: «Оптрон», Особое конструкторское бюро МЭЛЗ и Центральное конструкторское бюро специальных радиоматериалов. Переезд уже начался. Объединение должно завершиться за три года.

– Мы должны запустить производство в конце 2016 года. Сроки жесткие, потому что в 2020-х годах новое вооружение должно поступить в войска, – подчеркнул Буробин.

Изготовленные на «Пульсаре» транзисторы используются в авиационных радарах (в частности в истребителе Т-50 – его серийное производство должно начаться в 2015 г.), в радиолокационных комплексах «Небо-М», «Сопка», наземной станции дальнего обнаружения «Воронеж-ДМ», частично в комплексах «Панцирь» и «Искандер».

– Это разные виды вооружений, но там используются те же транзисторы, – отметил Валерий Буробин.

Кластер «Пульсар» должен будет внести вклад в развитие отечественного высокоточного оружия – управляемых ракет и авиационных бомб, зенитно-ракетных комплексов нового поколения и др. На заседании Совета безопасности летом прошлого года президент России Владимир Путин отметил, что «необходимо адекватно реагировать на развитие высокоточного оружия в мире».

Оружие с высокой вероятностью поражения цели появилось во второй половине XX века. Боеприпасы и ракеты стали оснащаться инерциальными датчиками, уменьшающими отклонения от траектории, радио- и лазерной «подсветкой» цели, автоматическими системами наведения. Сегодня это направление развития вооружения считает одним из наиболее перспективных.

В 2012 Минобороны обещало, что российские военно-воздушные силы до 2020 г. увеличат количество высокоточного оружия в 18 раз.

Экс-начальник вооружения Минобороны России генерал-полковник Анатолий Ситнов полагает, что одного только технического переоснащения предприятий недостаточно.

– Надо развивать научные школы, а не объединять предприятия. Новую технологию технологию нам никто не даст, мы можем купить только станки. Надо заботится об укреплении и создании прорывных научных школ, давать гранты молодым специалистам, – считает Ситнов.

При этом эксперт отметил, что отечественная сверхвысокочастотная электроника остается на высоком уровне, в отличие от микроэлектроники, отставание в которой существенно.

– Советский Союз и Россия были всегда впереди по СВЧ, мы были на нормальном уровне и хорошо развивались, – заявил Ситнов.

Читайте также:
«Росэлектроника» поддержит новые микроэлектронные производства и технологические центры в Зеленограде
«Росэлектроника» создаст новое НПО в Омской области
«Росэлектроника» будет реформироваться под новым руководством
«Росэлектроника» планирует к 2020 г. занять более 50% рынка
Премия в 1 млн рублей вручена «За лучшую идею для коммерциализации в области СВЧ-радиоэлектроники«
Фронтовая авиация получит ракеты с ГЛОНАСС к 2014 году
«Убийца радаров» допущен к производству

Источник: «Известия»

Оставьте отзыв

Ваш емейл адрес не будет опубликован. Обязательные поля отмечены *