Intel поделилась планами на ежегодном мероприятии Research@Intel Day


В Кремниевой долине на прошлой неделе состоялось седьмое ежегодное мероприятие Research@Intel Day – «День исследователей», на котором коллективы разработчиков из 10 центров со всего мира собрались для того, чтобы рассказать СМИ о своих достижениях. На этом мероприятии прошла демонстрация более 40 инновационных разработок и концептов в таких областях как экотехнологии, 3D-интернет, корпоративные ИТ-системы и беспроводные мобильные решения. Своими впечатлениями об этом событии поделился Рон Уилсон (Ron Wilson), отв. редактор, EDN.

Майк Мэйберри, вице-президент отделения «Технологии и производство», подтвердил, что Intel начнет производство по 32-нм процессу в этом году с использованием методов иммерсионной литографии, диэлектрика High-k и металлического затвора (HK/MG).

В настоящее время компания больше не занимаемся разработкой технологии 32 нм. «Мы сосредоточили свои усилия на том, что будет востребованочерез 3–7 лет, – сказал Мэйберри. – В отношении более отдаленных планов мы в основном полагаемся на таких партнеров как университеты, консорциумы IMEC (Interuniversity Microelectronics Centre) и Sematech.

Самым большим препятствием на пути дальнейшей миниатюризации является литогрфический процесс. К настоящему времени Intel вложила огромные инвестиции в совершенствование субмикронной ультрафиолетовой литографии (EUV), однако Мэйберри был очень осторожен в вопросе о том, когда (если это когда-нибудь произойдет) эта технология будет освоена на производстве. Следует заметить, что Intel уже удается печатать 24-нм элементы с помощью масок собственной разработки и оборудования пошагового мультиплицирования компании ASML, однако по-прежнему имеются нерешенные проблемы преодоления ограничений, связанных с оптической литографией.

Одной из проблем является разрешение – большое оборудование не способно изготавливать шаблоны, которые невозможно сделать в исследовательских лабораториях на 193-нм машинах. По прежнему не решена и другая, более серьезная проблема – освещение. Имеющиеся источники крайнего ультрафиолета настолько слабые, что экспозиция одной пластины занимает существенное время. «Нам нужны такие источники УФ-излучения, которые могли бы оправдать  массовое производство», – сказал Мэйберри. Предлагаемые компанией Cymer устройства неспособны работать в непрерывном режиме с требуемыми параметрами по освещенности, и никто не может ясно ответить, когда это станет возможным.

В то же время были достигнуты определенные успехи в расширении возможностей иммерсионной литографии с длиной волны 193 нм. Intel работает по двум технологиям: литографии с двойным шаблоном и вычислительной литографии. Имеются серьезные проблемы с применением обоих методов, не последняя из которых – их стоимость. «Однако нам кое-что удалось сделать и в этом направлении», – добавил Мэйберри.

Потенциал использования данных технологий достаточно высок. «В лабораторных условиях нам удалось создать простые шаблоны в диапазоне 15 нм с помощью этих методов и оборудования на 193 нм, – сказал Мэйберри. – Вполне возможно, что когда технология EUV наконец будет готова для производства, мы уже добьемся поставленной цели на 193-нм оборудовании».

Мэйберри также рассказал о работе Intel в области исследования новых материалов. Компания изучает компаунды III-V и, в первую очередь – InGaAs and InSb, чтобы повысить подвижность носителей.

Разумеется, речь зашла и о памяти. Мэйберри заметил, что Intel одновременно работает над тремя новыми технологиями: плавающие ячеки памяти (floating-body memory), память с фазовым изменением (phase-change memory) и технологией seek-and-scan probe memory. В настоящий момент Intel создала несколько опытных устройств памяти с фазовым изменением, для того чтобы услышать мнение заказчиков об этом изделии.

Мэйберри также рассказал о будущем устройстве с молекулярной матрицей, нанесенной на его поверхность, и с электронной схемой внутри, электрические параметры которой изменяются по мере того как органическая молекула перемещается в этой матрице. «Для реализации технологии придется решить две задачи: подготовить матрицу и наложить ее на электронную часть устройства. На следующем этапе понадобится большая вычислительная мощность для обработки очень слабого сигнала на фоне сильного шума».

Таким образом, компания развивается во многих направлениях: литография, материалы, устройства. Следует заметить, что об устройствах finFET не было сказано ни слова. Тому причиной, возможно, стала нехватка времени или нежелание Intel работать в этом направлении дальше.

1 комментарий
  1. Илья Вербовский
    Илья Вербовский
    23.06.2009 в 07:41

    …Тому причиной, возможно, стала нехватка времени или нежелание Intel работать в этом направлении дальше. Что-то в Intel перестали сообщать собственные новости о квантовых процессорах. Не упомянуты также работы, связанные с поддержкой стереовизуальных технологий (вряд ли этот опыт исчерпывается участием Intel в рекламной кампании Pepsi).

    Ответить
Оставьте отзыв

Ваш емейл адрес не будет опубликован. Обязательные поля отмечены *