Crocus наладит серийное производство MRAM


Crocus Technology, поставщик магнитных ОЗУ, объявил о разработке т.н. технологии MLU (Magnetic Logic Unit – магнитный логический блок), которая является адаптацией TAS (Thermally Assisted Magnetic Switching – магнитное переключение с тепловой поддержкой) для доступа к памяти. Новая технология обеспечивает возможность реализации NAND-подобной памяти в MRAM и ассоциативной памяти.

Новинка расширит рынок приложений магнитной памяти для хранения данных, безопасной коммерческой деятельности и связи, сетевых вычислений, автомобильной электроники и промышленной техники. Однако Crocus не сказала о том, когда по этой технологии начнется производство, и какие типоразмеры ЗУ будут выпускаться.

Для приложений памяти с высокой плотностью MLU открывает путь создания NAND-подобных конфигураций. При этом MLU NAND обладает в 2–4 раза большей плотностью, чем стандартная магнитная память, а также обеспечивает полный произвольный доступ.

Технологию MLU можно использовать в одном из трех режимов (NAND, NOR или XOR), установив исходный уровень намагничивания в ячейке MRAM.

В памяти MLU XOR реализованы функции сравнения и шифрования, которые препятствуют взлому смарт-карт, кредитных и sim-карт, а также NFC-устройств. MLU XOR поддерживает функции поиска и сравнения, необходимые для сетевой маршрутизации. Ее плотность как максимум в 50 раз превышает плотность стандартных поисковых процессоров, изготовленных по технологии КМОП. Кроме того, все конфигурации MLU безопасно эксплуатируются при температурах до 200°С, что позволяет с успехом использовать их в автомобильной электронике и промышленной технике.

MLU может заменить SRAM, DRAM, NAND, NOR и OTP во многих автономных и встраиваемых устройствах с памятью. Благодаря тому, что конфигурации NOR, NAND и XOR памяти MLU построены на единой технологии производства подложек с разными архитектурами проектирования, эти блоки памяти легко встраиваются в СнК.

MLU изготавливается с помощью отлаженного техпроцесса Crocus. В настоящее время эта компания планирует запустить массовое производство MLU-продукции по норме 130 нм на фабрике Tower Semiconductor, а также на российском предприятии Crocus Nano Electronics на нормах 90, 65, 45 нм и ниже. Ожидается, что этот завод начнет работу уже через пару лет и будет расположен либо в Зеленограде, либо в Калининградской области.

MRAM – универсальная память, сочетающая скорость традиционной DRAM с энергетической независимостью флэш-памяти. Освоить и коммерциализировать эту технологию сложно, поэтому компаний, пытающихся этого добиться, немного. Одна из них – Crocus. Два года назад она уже создала предприятие в Израиле по 130-нм технологии, но его продукция пока не доступна на рынке. На сегодняшний день основная задача компании – снизить цену на MRAM, которая пока довольно высока.

Источник: EETimes

Оставьте отзыв

Ваш емейл адрес не будет опубликован. Обязательные поля отмечены *