Южнокорейская компания Samsung Electronics Co. заявила о приобретении Grandis – поставщика запоминающих устройств на основе памяти STT-RAM. Финансовые условия сделки не разглашаются.
Grandis войдет в подразделение Samsung, занимающееся исследованиями и разработкой памяти следующего поколения на основе новых полупроводниковых материалов и структур.
Grandis была основана в 2002 г. Ее специализацией стала разработка памяти SST-RAM (spin-transfer torque random access memory – ОЗУ с переносом спинового момента), которая сочетает ценовые преимущества DRAM, быстроту чтения и записи SRAM и энергонезависимость флэш-памяти. SST-RAM должна решить главные недостатки магниторезистивной памяти MRAM первого поколения. В общей сложности Grandis получила 15 млн долл. от нескольких инвесторов, в т.ч. Applied Ventures, Sevin Rosen Funds, Matrix Partners, Incubic и Concept Ventures.
В июне прошлого года Grandis пересмотрела стратегический план выпуска продукции, заменив в нем DRAM и, в конце концов, NAND, памятью MRAM следующего поколения.
SST-RAM представляет собой технологию MRAM второго поколения, которая должна решить проблемы стандартных MRAM-структур. В большинстве разрабатываемых в настоящее время MRAM-устройств данные записываются с помощью магнитных элементов из двух ферромагнитных слоев. Один из слоев представляет собой постоянный магнит, намагниченный в определенном направлении, а намагниченность другого слоя изменяется под действием внешнего поля. Скорость операций таких устройств высокая, но они потребляют много энергии.
В течение многих лет разработчики MRAM и технологий памяти следующего поколения пытаются создать универсальные запоминающие устройства, которые придут на смену нынешним ЗУ. Однако этого до сих пор не удалось сделать, и в настоящее время применяется масштабируемая DRAM- и NAND-память.
Источник: EETimes.com