Путь полупроводниковой отрасли на 10 лет вперед


По мнению Шан-и Чанга (Shang-yi Chiang), старшего вице-президента отдела разработки тайваньской фаундри-компании Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., в ближайшие 10 лет дальнейшее развитие полупроводниковой отрасли пойдет в направлении совершенствования FinFET вплоть до 7 нм.

На пути дальнейшего продвижения в этом направлении основные препятствия будут носить экономический, а не технологический характер, заявил Чанг на мероприятии ARM TechCon.

В другом выступлении на этом мероприятии Чи-пинг Цзю (Chi-Ping Hsu), старший вице-президент отдела разработки компании Cadence Design Systems, представил данные о том, насколько существенно выросла стоимость производства при переходе с 32/28 на 22/20 нм. Количество средств, инвестированных полупроводниковыми компаниями в разработку и исследования, например, подскочили с 1,2 млрд долл. на 32/28 нм до 2,1–3 млрд долл. на 22/20 нм. Расходы на проектирование кристаллов выросли с 50–90 млн долл. на 32 нм до 120–500 млн долл. на 22 нм.

Требуется продать около 30–40 млн 32-нм кристаллов, чтобы компенсировать затраты на производство. Для 20 нм этот показатель вырастает до 60–100 млн шт.

FinFET – объемные транзисторы, разработкой которых занимаются производители кристаллов. Например, ожидается, что компания Intel, называя технологию объемных транзисторов трехзатворной, выпустит опытный образец 22-нм кристаллов с 3D-транзисторами в конце этого года.

По словам Чанга, поколение 20-нм кристаллов станет самым последним, в котором используются планарные транзисторы.

Источник: EETimes

Оставьте отзыв

Ваш емейл адрес не будет опубликован. Обязательные поля отмечены *