Трансиверы Intel предназначены под 65-нм техпроцесс Globalfoundries, TSMC и UMC


Intel анонсировала РЧ-трансивер 3G HSPA с усилителем мощности, интегрированным в тот же 65-нм кристалл.

Новое устройство разработано в соответствии со стандартным 65-нм техпроцессом, использующимся на фабриках GlobalFoundries, Taiwan Semiconductor Manufacturing Co. и United Microelectronics.

Бренд Smarti, который применяется для обозначения всех радиочастотных трансиверов Intel, предназначенных для мобильных телефонов, был создан 10 лет назад компанией Infineon Technologies. Этот бренд перешел в собственность Intel после приобретения ею беспроводного отделения Infineon.

Трансивер SMARTi UE2p оснащен функцией управления питанием и датчиками, использующими прямую связь с батареей. Кристалл поддерживает несколько двухполосных конфигураций 3G, позволяющих использовать его с HSPA-модемами Intel.

По словам Стефана Вольфа (Stefan Wolff), вице-президента Intel Architecture Group, с помощью кристаллов SMARTi UE2p заказчики смогут создавать недорогие сотовые телефоны 3G и устройства для приложений межмашинного взаимодействия в соответствии с концепцией интернета вещей.

Опытные образцы кристаллов SMARTi UE2p появятся в IV кв. 2012 г.

Источник: EE Times

Читайте также:
Мир интернет-вещей: электроника и распределенные вычисления
«Интернет вещей» диктует спрос на микроконтроллеры смешанных сигналов
Silicon Labs купила компанию-разработчика беспроводных ячеистых сетей
Мультистандартный трансивер для датчиковых сетей с рекордно низким потреблением
Революционный гибрид оптических трансиверов с ПЛИС от Altera
Беспроводные трансиверы TI для диапазона частот до 1 ГГц
Трансивер IO Link повышает эффективность систем промышленной автоматизации

Оставьте отзыв

Ваш емейл адрес не будет опубликован. Обязательные поля отмечены *