Samsung начинает серийное производство оперативной памяти DDR4


Компания Samsung Electronics Co. приступила к серийному производству новых модулей оперативной памяти стандарта DDR4 для промышленных серверов в центрах обработки данных.

Samsung производит 4-Гбит микросхемы DRAM-памяти с помощью 20-нм техпроцесса. Эти 4-Гбит ИС собираются в модули объемом 16 и 32 Гбайт.

Эти устройства придут на смену 8-Гбайт модулям 30-нм DRAM-памяти и 16-Гбайт модулям DDR3. Скорость передачи данных у 4-Гбит микросхем DDR4 составляет 2,667 Гбит/с, что на 25% выше, чем у 20-нм модулей DDR3, а энергопотребление меньше на 30%.

DDR4 – новый тип оперативной памяти, являющийся эволюционным развитием предыдущих поколений DDR. Этот тип памяти был представлен ассоциацией JEDEC (Joint Electron Device Engineering Council – Объединенный совет по электронным устройствам). В настоящее время эта организация носит название JEDEC Solid State Technology Association (Ассоциация твердотельных технологий JEDEC).

Поставки модулей оперативной памяти DDR4 от Samsung запланированы на 2014 г.

Источник: EE Times

Читайте также:
Samsung приступила к серийному производству памяти на 3D-кристаллах
Недорогая и плотная 3D-память стала ближе на один шаг
Что внутри 20-нм 3D-флеш-памяти NAND от Intel?
3D-память Micron заинтересовала еще две компании
TSMC предложит сборку 3D-микросхем в начале 2013 г.
Создана система для 3D-печати электронных схем
Samsung и Toshiba снизят темпы производства NAND

Оставьте отзыв

Ваш емейл адрес не будет опубликован. Обязательные поля отмечены *