TSMC совместно с HiSilicon выпустила первый 32-ядерный 64-разрядный 16-нм процессор ARM Cortex-A57


Компания TSMC 25 сентября сообщила о выпуске сетевого процессора на ARM-архитектуре с применением 16-нм технологии FinFET в сотрудничестве с HiSilicon Technologies. Как подчеркивает производитель, речь идет о первом полнофункциональном сетевом процессоре, созданном по указанной технологии.

Можно сказать, что это событие знаменует очередной этап освоения передового техпроцесса, который позволяет повысить энергоэффективность полупроводников.

Если сравнивать с 28-нм техпроцессом TSMC 28HPM, оптимизированным по производительности, новый техпроцесс TSMC 16FinFET позволяет добиться удвоения плотности компоновки транзисторов, 40-% увеличения быстродействия при таком же энергопотреблении, либо снижения на 60% энергопотребления при таком же быстродействии.

Как сообщают в TSMC, разработки в области FinFET велись более 10 лет, а в ноябре 2013 г. начался пробный выпуск полупроводниковой продукции с применением техпроцесса TSMC 16FinFET. Утверждается, что в итоге удалось получить «отличный процент выхода годной продукции».

Говоря о процессоре, созданном специалистами HiSilicon, следует уточнить, что он предназначен для сетевого высокопроизводительного оборудования. С применением технологии многокристальной компоновки TSMC CoWoS (Chip-on-Wafer-on-Substrate) чип процессора, содержащего целых 32 ядра (а именно 64-разрядные ядра ARM Cortex-A57), и действующего на тактовой частоте до 2,6 ГГц, интегрирован с 28-нм чипом ввода-вывода и упакован в едином корпусе.

Читайте также:
ARM и TSMC «спелись» на почве FinFET-технологии
TSMC в 2013 году запускает FinFET-технологию и испытывает EUV на 10 нм
TSMC ускорит освоение 10-нм техпроцесса
TSMC прокладывает путь к 16-нм техпроцессу и стремится дальше
TSMC начнет строительство фабрики по выпуску 16-нм FinFET
TSMC никогда не соревнуется с клиентами, сказал глава компании на технологическом симпозиуме
Qualcomm может перенести производство 20-нм продукции с мощностей TSMC

Источник: TSMC

Оставьте отзыв

Ваш емейл адрес не будет опубликован. Обязательные поля отмечены *