В течение трёх-пяти лет компания вложит в данный проект до 5,5 млрд. долларов.
Компания Intel официально заявила, что её первый и единственный в Китае завод по выпуску полупроводников — 300-мм фабрика Fab 68 в городе Далянь — будет переведена на выпуск инновационной энергонезависимой памяти типа 3D NAND. Модернизация линий будет проведена в течение 12 месяцев, и запуск производства будет осуществлён во втором полугодии 2016 года. Всего в течение трёх-пяти лет компания вложит в данный проект до 5,5 млрд. долларов США. Уточним, Intel не говорит о производстве на этом предприятии суперновой памяти типа 3D XPoint. Не исключено, что из соображений секретности.
Завод Intel Fab 68 был введён в строй в Китае в 2010 году и выпускал в основном системную логику для платформ компании с использованием 65-нм техпроцесса. Техпроцесс с меньшими нормами был запрещён со стороны регулирующих органов США к ввозу в Китай. В случае начала производства памяти 3D NAND техпроцесс может оказаться с меньшими нормами производства. В Intel не раскрывают деталей, но он будет явно меньше 65 нм. Компания Samsung, к примеру, начала выпускать 3D NAND с использованием 45-нм техпроцесса.
Также интересно отметить, что до сих пор Intel старалась уйти от производства флэш-памяти. Она почти полностью переложила производство флэш-памяти на своего партнёра по профильному предприятию IM Flash Technologies (IMFT) — на компанию Micron. В 2015 году, тем не менее, выручка от продаж SSD Intel росла каждый квартал на двузначную величину, что заставило компанию пересмотреть отношение к выпуску флэш-памяти. Собственное производство 3D NAND поможет снизить издержки и загрузить китайский завод, который в условиях стагнации рынка ПК уже неспособен приносить адекватный доход.