Вход |  Регистрация
 
 
Время электроники Суббота, 3 декабря
 
 


Это интересно!

Новости


Обзоры, аналитика


Интервью, презентации

Ранее

Запущено производство коллоидных квантовых точек

Первая очередь производства коллоидных квантовых точек (полупроводниковых кристаллов размером от единиц до десятков нм) была запущена в действие в научно-технологическом испытательном центре «Нанотех-Дубна».

Cree совершила прорыв по показателю цена/эффективность светодиодов

Cree совершила прорыв в области светодиодных технологий, создав источник света, у которого отношение лм/долл. в два раза превышает показатели стандартных светодиодов. Кроме того, новые изделия характеризуются самой высокой светоотдачей.

Наноструктуры повысят КПД солнечных батарей

В последние годы ученым удалось значительно уменьшить толщину фотоячеек с помощью вспомогательных структур, размер которых не превышает длины волны видимого света.

 

10 февраля 2012

Plessey приобретает технологию производства мощных светодиодов

Plessey Semiconductors приобрела компанию CamGaN, получившую известность за создание технологии GaN-на-кремнии.

П

роприетарная технология CamGaN позволит компании Plessey коммерциализировать производство мощных GaN-светодиодов на 6-дюймовых кремниевых подложках. Это приобретение, как следует из заявления Plessey, поставит ее в ряд первых компаний, которым удастся успешно освоить коммерческое производство мощных светодиодов по стандарту 6-дюймовых подложек.

Plessey рассчитывает на то, что стоимость светодиодов, изготовленных на основе материала GaN-on-Si, окажется на 80% ниже по сравнению со светодиодами, выращенными на карбидокремниевых или сапфировых подложках. Такая экономия затрат становится возможной за счет испытанного на практике технологического процесса, обеспечивающего меньший процент брака, минимального времени обработки и автоматизированного оборудования.

Plessey будет производить в этом году мощные светодиоды с эффективностью 150 лм/Вт. По словам Джона Эллиса (John Ellis), главного инженера Plessey, самой большой технологической проблемой, которая препятствует коммерциализации мощных светодиодов, выращенных на больших кремниевых подложках, является несоответствие между решетками GaN и кремния. Полученный технологический процесс GaN-на-кремнии позволяет преодолеть это препятствие.

Компанией CamGaN, аффилированной с центром Cambridge Center for Gallium Nitride, руководит Колин Хэмфри (Colin Humphreys). CamGaN уже более 10 лет работает в области прикладных исследований технологии GaN, в которые были инвестированы 16 млн долл.

Помимо CamGaN над применением технологий GaN в других приложениях работают еще две начинающие компании. Стартап EpiGaN отделился от межуниверситетского научно-исследовательского института Microelectronics Center. Эта компания осваивает технологию GaN-на-кремнии с использованием 6- и 8-дюймовых пластин для производства силовых полупроводников.

Компания Transphorm, запустившая производство силовых ИС на основе 6-дюймовых пластин, собирается перейти на 8-дюймовые пластины в ближайшие 2–5 лет.

Источник: EETimes

Читайте также:
Стандарт для силовых преобразователей задает направление развития поставщикам и OEM-производителям
Силовые транзисторы на базе GaN: новая платформа для преобразователей напряжения
Analog Devices: новые компоненты для цепей питания
Специфика прменения IGBT-транзисторов в различных приложениях
Компания On Semiconductor: откуда, куда, зачем

Оцените материал:

Комментарии

0 / 0
0 / 0

Прокомментировать







 
 
 




Rambler's Top100
Руководителям  |  Разработчикам  |  Производителям  |  Снабженцам
© 2007 - 2016 Издательский дом Электроника
Использование любых бесплатных материалов разрешено, при условии наличия ссылки на сайт «Время электроники».
Создание сайтаFractalla Design | Сделано на CMS DJEM ®
Контакты