![]() |
|
||||||||||||
![]() Это интересно!Новости Россия признала неспособность самостоятельно создавать электронику для спутников Toshiba отменит продажу полупроводникового производства при одном условии
Ранее«Живой» микроробот будет определять, чем болен человекИнженеры разрабатывают экспериментальную модель крошечного робота, который будет вести себя как живое существо. Предполагается, что он сможет определять внутренние болезни человека. Виброруль с GPS спасет водителей в случае опасностиСпециалисты AT&T Labs испытали оригинальное вибрирующее рулевое колесо, которое заменяет звуковые и визуальные команды GPS-навигатора. Новое устройство позволяет не отвлекать внимание от дороги и повышает безопасность вождения. Найдено идеальное средство для защиты от электромагнитных помехЕвропейские исследователи из Словакии и Испании создали устройство, которое позволяет скрыть статическое магнитное поле объекта. Изобретение может найти широкое применение в военном деле и медицине. |
3 апреля 2012 Созданы энергоэффективные туннельные полевые транзисторыИсследовательская команда двух университетов в США достигла существенных успехов на пути создания полевых транзисторов с квантовым туннелированием (TFET).И
сследователи из Университета Нотр-Дам и Университета штата Пенсильвания объявили, что достигли существенного успеха в разработке туннельных полевых транзисторов (TFETs) — полупроводниковых устройств, которые используют некоторые особенности поведения электронов на квантовом уровне.
Исследователи из Университета Нотр-Дам и Университета штата Пенсильвания объявили о прорыве в разработке туннельных полевых транзисторов. Фото Университета Нотр-Дам. Транзисторы являются строительными блоками электронных устройств, и большая часть роста вычислительной мощности компьютеров за последние 40 лет обусловлено увеличением количества транзисторов, которые могут быть размещены на подложке кремниевого кристалла. Но этот рост (описанный законом Мура), даже в условиях современных нанотехнологий, может скоро подойти к концу. Многие специалисты, работающие в полупроводниковой индустрии считают, что эта отрасль быстро приближается к физическим пределам миниатюризации транзисторов, поскольку характерные размеры последних становятся всё ближе к размерам атомов, из которых они состоят. Основной проблемой современных полевых транзисторов является наличие тока утечки, ведущего к выделению избыточного тепла из миллиардов расположенных в непосредственной близости транзисторов. Ток же утечки, как правило, обусловлен паразитным туннелированием электронов сквозь очень узкие, близкие к атомарным размерам, барьерам. Последние достижения в университетах в Нотр-Дам и в штате Пенсильвания, которые являются партнерами по Институту наноэлектроники (Midwest Institute for Nanoelectronics Discovery, далее MIND), показывают, что TFET-транзисторы могут дать один из путей к решению этих проблем, обеспечивая сравнимую с современными КМОП-транзисторами производительность, но при этом позволяют создавать устройства с гораздо более высокой энергоэффективностью. Они делают это, пользуясь возможностью электронов проходить по «квантовому туннелю» через тонкие слои твердых тел, с эффектом, который на обывательском уровне воспринимается как волшебство, но на квантовом уровне это соответствует нормальному поведению электронов. Как говорит Алан Сибуг (Alan Seabaugh), профессор электротехники в Нотр-Дам, транзистор сегодня действует так же, как плотина с подвижнымы воротами. Ему вторит Франк Фрайманн (Frank M. Freimann), директор MIND: «Скорость, с которой течёт вода, как и сила тока транзистора, зависит от высоты ворот. В туннельных транзисторах у нас есть новый вид ворот, через которые может течь больше тока. Мы электрически регулируем толщину ворот и можем включить и выключить ток». «Электронные туннельные компоненты имеют долгую историю коммерциализации, — добавляет Алан Сибуг. — Очень вероятно, у вас уже есть более миллиарда таких компонентов в устройствах флэш-памяти. Ведь принцип квантово-механического туннельного транзистора уже используется для устройств хранения данных». Хотя TFET-транзисторы всё ещё уступают по энергетической эффективности современным транзисторам, результаты исследований, полученные в декабре 2011 г в Пенсильвании и в марте 2012 г. в Нотр-Дам, демонстрируют достигнутые улучшения в управлении током туннельного транзистора и ещё больше достижений ожидается в скором времени. «Наши разработки базируются на поиске правильного сочетания полупроводниковых материалов, необходимых для создания таких устройств, — говорит Суман Датта (Suman Datta), профессор электротехники Университета штата Пенсильвания. — Если мы добъёмся успеха, то наш результат будет существенным фактором для создания маломощных интегральных схем. Это, в свою очередь, расширит возможности устройств с автономным питанием, которые в сочетании с эффективными аккумуляторами могут обеспечить режим активного мониторинга здоровья, окружающей среды, и имплантируемых медицинских устройств». Еще одно преимущество туннельных транзисторов в том, что для их применения вместо существующих компонентов не требуется значительных изменений в полупроводниковой промышленности. Большая часть существующих схемных решений и производственной инфраструктуры останутся такими же. Источник: ScienceDaily Читайте
также: Комментарии0 / 0
0 / 0
|
![]() Комментарии читателейNASA хочет "заселить" Марс роями цикадоподобных роботов Marsbee [1] Производители и дистрибьюторы светотехники [2] Безмостовой ККМ-преобразователь с КПД выше 98% и коэффициентом мощности 0,999. Часть 3 [4] Gartner: внедрение систем ИИ позволит увеличить количество новых рабочих мест [1] Горячие темы |
||||||||||
|
||||||||||||
![]() |
![]() |
|||||||||||
|
|