Предложена структура 1-нм транзистора с затвором из углеродной нанотрубки


Разработчики из Калифорнийского университета в Беркли предложили использовать углеродные нанотрубки в качестве затвора, а не канала транзистора.

На пути к транзисторам с 5-нм затвором критических преград нет. Всё что меньше пока под вопросом. На этапе снижения технологических норм менее 5 нм в полный рост начинает себя проявлять эффект квантового туннелирования, а это неудержимый рост утечек (потерь). Впрочем, всё это касается традиционных моделей строения транзисторов на основе обычных полупроводников. Поэтому транзисторы с затвором менее 5 нм обещают оказаться иной структуры и с использованием новых материалов.

IBM предлагает использовать углеродные нанотрубки в качестве каналов транзисторов

Одним из таких материалов станут углеродные нанотрубки. Компания IBM, например, разработала модель 1,8-нм транзистора с углеродной трубкой в качестве токопроводящего канала транзистора. Разработчики из Калифорнийского университета в Беркли пошли по другому пути и предложили использовать углеродные нанотрубки в качестве затвора транзистора.

Учёные рекомендуют задействовать углеродные нанотрубки для затворов транзисторов

Как сообщает издание Science Alert, группа учёных создала экспериментальный транзистор на основе токопроводящего канала из дисульфида молибдена (MoS2). Компания IBM, кстати, для управляющих электродов своего 1,8-нм транзистора тоже использует молибден. Проблема транзистора IBM в том, что концы нанотрубок требуется приварить к управляющим электродам, что на данном этапе технологически сложно. Транзистор «из Беркли» лишён этого недостатка, поскольку в его конструкции углеродные нанотрубки используются как самостоятельные проводники тока и служат затворами.

Как видим, идёт активная наработка материала, что позволит индустрии заблаговременно выработать план по освоению всё меньших по масштабу технологических норм.

Источник: Ф-Центр

Оставьте отзыв

Ваш емейл адрес не будет опубликован. Обязательные поля отмечены *