Память ReRAM будет дороже памяти 3D NAND равной ёмкости (в терминах Toshiba — BiCS), но дешевле производства DRAM равного объёма.
Как известно, компания Western Digital поглотила компанию SanDisk. Вместе с ней она получила доступ к производству флэш-памяти NAND-типа и к перспективным разработкам в этой сфере. Одна из них — это резистивная память с произвольной выборкой или ReRAM (RRAM). Память ReRAM относят к новому классу памяти SCM (storage class memory). Это одновременно и оперативная память и память для долговременного хранения данных. К памяти SCM относится также память 3D XPoint компаний Intel и Micron, а также память типа MRAM (магниторезистивная). Такая память по скорости работы снизу приближается к памяти DRAM, но несколько дешевле её и при этом энергонезависимая.
Компания SanDisk последние годы разрабатывала память ReRAM совместно с компанией Toshiba, что неудивительно, поскольку обе они владели одним и тем же производством флэш-памяти в Японии. В октябре прошлого года компания SanDisk заключила договор на разработку ReRAM совместно с компанией HP. Последняя называет память ReRAM словом «мемристор» и тоже имеет внушительный пакет разработок по этому направлению. Впрочем, выпускать ReRAM всё равно будет компания Toshiba на заводе Fab 2 в Йоккаити. Теперь уже совместно с компанией Western Digital.
 |
Как признались в компании Western Digital, разработки накопителей с использованием памяти ReRAM уже ведутся и в обозримом будущем они появятся на рынке. С учётом прежних планов компании Toshiba — это произойдёт в районе 2020 года. Память ReRAM будет дороже памяти 3D NAND равной ёмкости (в терминах Toshiba — BiCS), но дешевле производства DRAM равного объёма.