Вход |  Регистрация
 
 
Время электроники Вторник, 16 октября
 
 


Это интересно!

Ранее

Micron обозначила пути развития технологий NAND Flash

На организованном ею мероприятии Memory Day в Тайбэе корпорация Micron представила собственный план развития технологий флэш-памяти NAND.

Купит ли Seagate долю Intel в проекте по технологии NAND?

Компания Seagate Technology намеревается купить долю Intel в совместном с Micron Technology предприятии по производству флэш памяти NAND.

SanDisk и Toshiba займутся разработкой 3D-памяти

Компании SanDisk и Toshiba, как сообщает PC World, заключили соглашение о сотрудничестве в области разработки так называемой трехмерной памяти (3D Memory).

 

25 июня

Миниатюрные 64 и 32 Мбит SRAM с малым потреблением от Renesas

Компания Renesas Technology представила 64 Мбит и 32 Мбит SRAM из семейства Advanced LPSRAM (Low-Power SRAM) в миниатюрных корпусах.

С

ерия R1WV6416R включает в себя двенадцать схем памяти по 64 Мбит. Микросхемы выпускаются в корпусах TSOP I (48 выводов), μTSOP (52 выводов) и FBGA (48 шариковых выводов). Серия R1LV3216R содержит восемь схем памяти емкостью 32 Мбит, выпускающихся в корпусах TSOP I и μTSOP. Время доступа составляет 55 нс или 70 нс. Приборы предназначены для использования в промышленном и офисное оборудовании, потребительской электронике, автомобильных системах и оборудовании связи.

Микросхемы Advanced LPSRAM используют стековую конденсаторную конфигурацию ячейки памяти, хорошо зарекомендовавшую себя в DRAM ячейках. Это позволяет избежать некоторых нежелательных эффектов, вызванных α-частицами или нейтронным излучением, а также паразитного тиристорного эффекта (эффект защелкивания).

Занимаемая кристаллом площадь сокращается за счет использования вертикальных структур, когда конденсаторы размещаются в слое поверх транзисторов. Сами транзисторы также уложены в несколько слоев, причем верхний образован поликремневыми пленочными р-канальными транзисторами.

Таким образом, представленные чипы R1LV3216R являются самыми миниатюрными среди 32 Мбит схем памяти с малым потреблением. Поставки образцов R1LV3216R начались в апреле, а R1WV6416R появятся в июле.

Дополнительная информация здесь

Renesas Technology Corp. - совместное предприятие Hitachi Ltd. и Mitsubishi Electric Corp., разрабатывает и производит высокоинтегрированные полупроводниковые приборы для мобильных приложений, сетей, автомобильной промышленности, а также для цифровой бытовой и промышленной электроники. Компания занимает первое место в мире по объему продаж микроконтроллеров, лидирует в поставках LCD драйверов, Smart Card контроллеров, RF микросхем, усилителей мощности, схем смешанных сигналов, систем на кристалле (SoC), систем в корпусе (SiP) и др.

Начав свою деятельность 1 апреля 2003 г. как СП Hitachi Ltd. и Mitsubishi Electronics со штаб-квартирой в Токио (Япония), Renesas Technology сегодня представляет собой одну из самых крупных полупроводниковых компаний в мире, с центрами разработки, производства и торговыми представительствами почти в 20 станах мира, с числом служащих около 26,500.

Контакты в РФ и СНГ
alex.glubokov.wm@hitachi.com
тел. +7 (495) 787-4024

Оцените материал:

kk

Комментарии

0 / 0
0 / 0

Прокомментировать







 

 
 




Rambler's Top100
Руководителям  |  Разработчикам  |  Производителям  |  Снабженцам
© 2007 - 2018 Издательский дом Электроника
Использование любых бесплатных материалов разрешено, при условии наличия ссылки на сайт «Время электроники».
Создание сайтаFractalla Design | Сделано на CMS DJEM ®
Контакты