Cypress расширяет портфель быстрой энергонезависимой памяти nvSRAM


Компания добавила в семейство быстрой энергонезависимой памяти nvSRAM (non-volatile static random access memories) 2 Мбит и 8 Мбит приборы, увеличив максимальную емкость семейства с 16 Кбит до 8 Мбит.

Новые приборы имеют время доступа 20 нс, неограниченное количество циклов записи и чтения, 20-летний срок хранения данных. Микросхемы nvSRAM могут найти применение в серверах, RAID, в системах промышленного контроля, автомобильной, медицинской и технике и оборудовании связи.

CY14B102 2 Мбит nvSRAM и CY14B108 8 Мбит nvSRAM ROHS-совместимые, могут непосредственно заменять SRAM, батарейные SRAM, EPROM и EEPROM, предлагая надежную энергонезависимую память данных без батарей. Передача данных от SRAM к энергонезависимым элементам устройства происходить автоматически при снятии питания, а после его включения также автоматически перезаписываются обратно в SRAM. Обе операции также доступны под программным управлением.

Новые nvSRAM производятся по Cypress S8™ 0.13 мкм SONOS (Silicon Oxide Nitride Oxide Silicon) встраиваемой энергонезависимой технологии памяти, которая позволяет увеличить плотность, улучшить время доступа и производительность.

Оставьте отзыв

Ваш емейл адрес не будет опубликован. Обязательные поля отмечены *