Компания Samsung объявила о начале производства образцов памяти DDR3 емкостью до 16 Гбайт, выполненных по 50 нм процессу.
Компания Samsung объявила о начале производства образцов памяти DDR3 емкостью до 16 Гбайт, выполненных по 50 нм процессу.
По заявлению компании, 50 нм 2 Гбайт чипы памяти DDR3 в два раза превышают по плотности сегодняшние 1 Гбайт чипы и экономят более 40% энергии по сравнению с их предшественниками. Также отмечается, что изготовление 2 Гбайт чипов приводит к увеличению производительности на 60%.
Благодаря тому, что новые чипы имеют маленький форм-фактор, присутствует возможность создание модулей с конфигурацией до 8 Гбайт для RIMM и 4 Гбайт для мобильных SODIMM. Использование упаковки с двойной подложкой увеличивает максимальный объем модулей памяти до 16 Гбайт для серверов и настольных компьютеров.
Согласно производителю, 2 Гбайт чип поддерживает скорость передачи данных до 1,3 Гбит/с при напряжении 1,5 или 1,35 В. Компания начнет массовое производство 2 Гбайт чипов в конце этого года, а 2 Гбайт DDR3 DRAM в 2009 году. Стоимость продукта вряд ли будет низкой, учитывая, что DDR2 память с объемом 8 Гбайт стоит более $1000.
