На конференции разработчиков, которая прошла на этой неделе в Токио, представитель компании выступил с докладом, в котором обещал представить на рынок первые коммерческие приборы в 2010 году.
Одно время технология MRAM была на виду. Однако сегодня интерес к этому виду памяти значительно ослаб, поскольку процесс коммерциализации MRAM недопустимо затянулся. И это не совсем понятно, вспоминая, что большинство участников рынка в свое время позиционировали MRAM как «универсальную память».
Не так давно от разработки MRAM отказалась Cypress Semiconductor. Продали свое совместное предприятие IBM и Infineon Technologies. В самостоятельную независимую компанию выделила подразделение MRAM Freescale Semiconductor, избавившись таким способом от этой технологии.
Несколько особняком стоит NEC, а также ряд начинающих компаний, которые не оставляют надежды вывести MRAM на рынок. Активно работает в этом направлении японская Renesas Technology. На конференции разработчиков, которая прошла на этой неделе в Токио, представитель компании выступил с докладом, в котором обещал представить на рынок первые коммерческие приборы в 2010 году.
Renesas занимается проектом MRAM достаточно давно. В 2005 году компания подключила к разработке молодую американскую фирму Grandis из Калифорнии, автора «torque transfer» технологии записи. Полученная с ее помощью MRAM обладает высоким быстродействием, неограниченным числом циклов чтения/записи и энергонезависимостью, что делает ее одним из самых привлекательных кандидатов на перспективную память следующего поколения.
Renesas сообщила, что ей удалось разработать 130 нм MRAM с четырьмя слоями металлизации, с размерами ячейки 0.81 мкм2 и с нулевым потреблением тока в дежурном режиме. Однако выводить на рынок компания будет 90 нм MRAM с рабочей частотой от 100 до 150 МГц. По заявлению Катсухиро Тсукамото (Katsuhiro Tsukamoto), президента и главного управляющего Renesas, такую память компания планирует встраивать в микроконтроллеры.
Если результаты будут положительными, то в 2012 году Renesas рассчитывает представить 65 нм 200 МГц MRAM. Свою разработку фирма позиционирует как «универсальную память», одновременно обладающую достоинствами как энергонезависимой, так и RAM памяти. Это одна из трех технологий встраиваемой памяти, разрабатываемых Renesas для MCU, причем MRAM рассматривается как наиболее перспективная.
Для низковольтных MCU с малым потреблением компания предлагает встроенную NOR флэш на основе 130 нм технологии. В конце этого года Renesas обещает выпустить приборы с рабочим напряжением 1.8 В. Для быстрых MCU компания выпускает память на основе процесса MONOS (metal-oxide nitride oxide silicon). Сегодня имеются 90 нм приборы с рабочей частотой 100 МГц, с переходом на 65 нм технологию в 2012 году.