Вход |  Регистрация
 
 
Время электроники Вторник, 16 октября
 
 


Это интересно!

Ранее

Hynix Semiconductor планирует использовать технологию Z-RAM в чипах динамической памяти

Компании Innovative Silicon Inc. (ISi) и Hynix Semiconductor объявили о том, что Hynix приобрела лицензию на использование технологии памяти высокой плотности Z-RAM, разработанной специалистами ISi, в своих [[чипах DRAM]]

Hynix Semiconductor выпускает 66нм память mobile DRAM плотностью 1 Гбит

Компания Hynix Semiconductor анонсировала выпуск самой миниатюрной в отрасли [[динамической памяти]] для мобильных устройств (mobile DRAM) плотностью 1 Гбит

SST выпускает два контроллера флэш-памяти типа NAND для мобильных хранилищ

SST анонсировала [[расширение ассортимента контроллеров флэш-памяти]] типа NAND двумя новыми моделями: ATA Flash Disk Controller (SST55VD020) и CompactFlash Card Controller (SST55LC200)

 

22 августа

TSMC начинает выпуск встраиваемой флэш-памяти по нормам 0,13 мкм

Компания Taiwan Semiconductor Manufacturing Company (TSMC) объявила о начале промышленной эксплуатации техпроцесса для выпуска 0,13-мкм встраиваемой флэш-памяти [[(embedded flash)]].

Т

аким образом, TSMC стала первой среди компаний, занятых исключительно производством полупроводниковой продукции, освоившей серийный техпроцесс встраиваемой флэш-памяти, полностью совместимый с техпроцессом производства логических схем.

При изготовлении 0,13-мкм встраиваемой флэш-памяти используются такие же ячейки памяти, как в предыдущем поколении продукции, что упрощает процесс миграции к новым нормам, утверждает TSMC. Заявлена полная совместимость с базовым техпроцессом TSMC, используемым для выпуска универсальных логических схем по нормам 0,13 мкм (G) и его вариацией, оптимизированной для выпуска приборов с пониженным энергопотреблением (LP). Таким образом, заказчики могут оптимально воспользоваться своими вложениями в библиотеки компонентов и разработки в области интеллектуальной собственности (IP).

По словам Сэм Чена (Sam Chen), директора TSMC по маркетингу платформ памяти, низковольтный вариант продукции отлично подходит для приборов ZigBee/Wibree, беспроводных гарнитур, слуховых аппаратов, смарт-карт и других приложений, в которых востребовано сверхмалое энергопотребление при напряжении питания 1,2-1,5 В.

 

Оцените материал:

Источник: EETimes

Комментарии

0 / 0
0 / 0


 

 
 




Rambler's Top100
Руководителям  |  Разработчикам  |  Производителям  |  Снабженцам
© 2007 - 2018 Издательский дом Электроника
Использование любых бесплатных материалов разрешено, при условии наличия ссылки на сайт «Время электроники».
Создание сайтаFractalla Design | Сделано на CMS DJEM ®
Контакты