Вход |  Регистрация
 
 
Время электроники Понедельник, 15 октября
 
 


Это интересно!

Ранее

Ученые создали первую в мире графеновую память

Исследователи из американского Университета Райс (Rice University) продемонстрировали новый тип экспериментально запоминающего устройства, состоящего всего из 10 атомов графена. Данная технология потенциально способна во много раз увеличить емкость модулей памяти, кроме того данные запоминающие устройства способны выдерживать сильное радиационное излучение и температуру до 200°C, сохраняя всю информацию.

Numonyx выпускает флэш-чипы емкостью 4 Гбайт

Компания Numonyx, совместное предприятие небезызвестных Intel и STMicroelectronics, официально сообщила о расширении модельного ряда интегральных микросхем флэш-памяти – теперь, помимо моделей емкостью 1, 2, 4, 8 и 16 Гбайт, компания может предложить клиентам и устройства емкостью 32 Гбайт. Увеличение вместительности полупроводниковых устройств сразу в два раза реализовано за счет использования более совершенного 41-нм технологического процесса.

Выпущена флэш-память с поддержкой 1 млн циклов перезаписи

Поставщик полупроводников Micron Technology при участии Sun Microsystems разработал технологию создания NAND-памяти с одноуровневой структурой ячеек с существенно увеличенным сроком службы, сообщает DigiTimes.

 

21 декабря

Toshiba будет использовать в производстве 32-нм литографию с однократной экспозицией

По словам корпорации Toshiba, у нее готова рентабельная технологическая платформа для выпуска микросхем по технологии CMOS с соблюдением 32 нм норм. По сравнению с технологией, применяемой при изготовлении продукции с соблюдением норм 45 нм, она обеспечивает меньшую себестоимость, большую плотность размещения элементов и быстродействие схем.

В

основе платформы лежит использование улучшенной литографии с однократной экспозицией и процесса с применением материала с высоким значением диэлектрической постоянной, при котором металлический затвор формируется в первую очередь (gate-fist metal gate/high-K).

Созданная по этой технологии ячейка памяти SRAM имеет площадь 0,124 мкм2, что делает ее самой миниатюрной ячейкой SRAM, изготавливаемой по нормам 32 нм. Платформа была создана на основе техпроцесса, рассчитанного на соблюдение норм 32 нм, который был разработан совместно с NEC Electronics. Кстати, совместная с NEC Electronics разработка стала также основой технологической платформы Toshiba, в которой используется техпроцесс CMOS с соблюдением норм 40 нм.

Использование однократной экспозиции является ключевым решением, позволившим снизить себестоимость производства по сравнению с двукратной экспозицией, на которую изначально ориентировались специалисты при выработке правил проектирования чипов нового поколения. Двукратная экспозиция влечет за собой увеличение количества этапов техпроцесса, что неминуемо повышает стоимость производства и снижает процент выхода годной продукции.

В процессе разработки также подтвердилось, что переход к технологии metal gate/high-K не только улучшает характеристики транзисторов, но и уменьшает разброс параметров, что повышает стабильность работы SRAM и логических цепей.

По материалам MarketWatch

Оцените материал:

ee

Комментарии

0 / 0
0 / 0

Прокомментировать







 

 
 




Rambler's Top100
Руководителям  |  Разработчикам  |  Производителям  |  Снабженцам
© 2007 - 2018 Издательский дом Электроника
Использование любых бесплатных материалов разрешено, при условии наличия ссылки на сайт «Время электроники».
Создание сайтаFractalla Design | Сделано на CMS DJEM ®
Контакты