Японская компания NEC занимается разработкой магниторезистивной памяти c произвольной выборкой (MRAM), с 2000 года. На днях компания заявила о создании MRAM микросхемы, совместимой с чипами SRAM и способной работать на частоте 250 МГц, что, если верить разработчикам, является наилучшем показателем в отрасли на сегодняшний день.
Новый чип MRAM имеет емкость 1 Мбит. Одна ячейка памяти включает два транзистора, один магнитный туннельный переход, а сама микросхема построена таким образом, чтобы уравновесить паразитные емкостные сопротивления линий разрядов данных и служебных разрядов, что увеличивает быстродействие в режиме произвольного чтения.
Согласно тестам компании, время выдачи данных достигает 3,7 нс. Данные снимаются по фронту синхроимпульса частотой 250 МГц. Отмечается, что по тактовой частоте новый чип NEC не намного отстает от типичных встраиваемых чипов SRAM и при этом имеет малое тепловыделение (по материалам EE Times).