Вход |  Регистрация
 
 
Время электроники Воскресенье, 21 октября
 
 


Это интересно!

Новости


Обзоры, аналитика


Интервью, презентации

Ранее

Samsung представляет первые в мире 30-нм DRAM DDR3

Компания Samsung объявила о завершении разработки первых в мире микросхем памяти DRAM DDR3, при производстве которых применяется 30-нм технология.

Samsung приступает к производству трехбитной 30 нм памяти MLC

Компания Samsung, крупнейший производитель полупроводниковых микросхем, сегодня выступила сразу с двумя заявлениями.

Samsung Electronics начинает массовое производство памяти PRAM

Компания Samsung Electronics объявила на Шестом ежегодном форуме по мобильным решениям (Samsung Mobile Solutions Forum) о начале серийного производства нового типа энергонезависимой памяти PRAM (phase change random access memory).

 

1 февраля

Intel и Micron первыми представят 25-нм NAND

Компании Intel и Micron Technology собираются восстановить технологическое лидерство на рынке NAND, первыми представив микросхемы, изготовленные по нормам 25 нм. Флеш-память основана на многоуровневых ячейках (MLC), емкость микросхем составляет 8 Гб, а стоимость производства по сравнению с предыдущими продуктами снижена на 50%.

Р

аботой над 25-нм NAND занимается совместное предприятие IM Flash Technologies. Компании пока не раскрыли подробности технологии, однако называют достижение значительным успехом. По словам вице-президента и главного управляющего Intel NAND Solutions Group Тома Рэмпона (Tom Rampone), новая технология ускорит распространение SSD-дисков. Кроме того, должны снизиться расходы на производство MP3-плееров, чипов для мобильных телефонов и других продуктов, в том числе планшетов.

Время появления 25-нм микросхем оптимальное: рынок NAND восстанавливается, спрос растет. По данным IC Insights, общемировые продажи флеш-памяти ожидаются на уровне $18,807 млрд в 2010 году, тогда как еще в прошлом они составили $15,416 млрд. В целом рынок ИС в текущем году достигнет $270,7 млрд, на 15% больше, чем в 2009 году.

Массовое производство новой флеш-памяти запланировано на второй квартал 2010 года. По информации Objective Analysis, стоимость микросхемы емкостью 1 Гб составит $0,5. Для сравнения 45-нм NAND обходится в примерно в $1,75.

Оцените материал:

Источник: 3dnews

Комментарии

0 / 0
0 / 0

Прокомментировать







 

 
 




Rambler's Top100
Руководителям  |  Разработчикам  |  Производителям  |  Снабженцам
© 2007 - 2018 Издательский дом Электроника
Использование любых бесплатных материалов разрешено, при условии наличия ссылки на сайт «Время электроники».
Создание сайтаFractalla Design | Сделано на CMS DJEM ®
Контакты