Вход |  Регистрация
 
 
Время электроники Среда, 12 декабря
 
 

Это интересно!

Новости


Обзоры, аналитика

Итоги Премии «Живая электроника России — 2018»


Интервью, презентации

Ранее

Прорыв в области NAND флэш технологии

Intel и Micron разработали суперскоростной интерфейс для NAND флэш памяти, в пять раз превышающий по скорости современные приборы

Опубликована новая редакция спецификации на встраиваемую флэш память

Две ассоциации, MMCA и JEDEC, опубликовали новую редакцию стандарта на встраиваемую флэш память - Embedded MMC (eMMC) and Card Product Standard v.4.3

Samsung и Hynix будут совместно разрабатывать память MRAM

Samsung Electronics Со. Ltd. и Hynix Semiconductor Inc. будут сотрудничать в разработке устройств памяти следующее поколения, включать [[MRAM]], сообщает The Korea Times

 

7 февраля

Первые коммерческие образцы «фазовой памяти» от Intel и STMicroelectronics

Intel и STMicroelectronics направили первые образцы энергонезависимой памяти, основанной на изменении фазового состояния вещества - Phase Change Memory (PCM), заказчикам для тестирования

Н

а Международной конференции по твердотельным приборам ISSCC 2008 (Solid-State Circuits Conference, 3-7 февраля 2008 года, Сан-Франциско), Intel и STMicroelectronics сообщили о своих успехах в разработке энергонезависимой памяти, основанной на изменении фазового состояния вещества - Phase Change Memory (PCM).

Компании представили чип «Alverstone», изготовленный по технологии PCM – первый в отрасли коммерческий прибор, который может стать прототипом для нового семейства энергонезависимой памяти. Чип обладает высокой скоростью записи и чтения, потребляет меньше энергии, чем стандартные флэш, позволяет нормально видеть его в RAM.

PCM в течение длительного времени была предметом научных исследований. Было предприято несколько попыток (безуспешных) вывести этот тип памяти на рынок. Возможно, с разработкой «Alverstone», Intel и STMicroelectronics, удастся решить эту задачу.

«Это наиболее значимое достижение в области энергонезависимой памяти за последние 40 лет», считает Ed Doller, главный технолог из Numonyx, совместного предприятия Intel, STMicroelectronics и Francisco Partners, созданного в мае 2007 года для выпуска энергонезависимой памяти.

«Было предпринято несколько попыток разработать технологию новой энергонезависимой памяти, однако все они остались на уровне концепций. PCM казалась наиболее привлекательным решением – Intel и STMicroelectronics сегодня представили PCM на суд клиентов. Это важный этап для промышленности и для наших компаний».

Компании также представили многоуровневую схему памяти (MLC, multi-level cell) на основе технологии PCM. Переход от одноуровневых ячеек (SLC) к многоуровневым (MLC) позволяет значительно увеличить плотность памяти и снизить ее стоимость в расчете на Мбайт.

В 2003 году Intel и STMicroelectronics сформировали совместную программу JDP (Joint Development Program) для разработки Phase Change Memory. В 2004 году на конференции VLSI, JDP продемонстрировала память плотностью 8 Мбит, изготовленную по 180 нм технологии, а в 2006 году на VLSI Symposium впервые была показана 90 нм 128 Мбит Alverstone.

Оцените материал:

Комментарии

0 / 0
0 / 0

Прокомментировать







 

 
 




Rambler's Top100
Руководителям  |  Разработчикам  |  Производителям  |  Снабженцам
© 2007 - 2018 Издательский дом Электроника
Использование любых бесплатных материалов разрешено, при условии наличия ссылки на сайт «Время электроники».
Создание сайтаFractalla Design | Сделано на CMS DJEM ®
Контакты