Вход |  Регистрация
 
 
Время электроники Пятница, 14 декабря
 
 

Это интересно!

Ранее

Компания STMicroelectronics завершила формирование семейства последовательной памяти EEPROM

STMicroelectronics предлагает [[полный комплект последовательной памяти EEPROM]] емкостью от 2 до 128 Кбит с интерфейсами I2C и SPI в корпусах MLP.

Микросхемы DDR2 DRAM с наивысшей емкостью и низким энергопотреблением от Samsung

Компания Samsung Semiconductor запустила в массовое производство [[микросхемы DDR2 DRAM с наивысшей информационной емкостью]] и наименьшим потреблением энергии для применения в серверах.

Hynix будет использовать технологию STT-RAM от Grandis

Компании Hynix Semiconductor и Grandis заключили лицензионное соглашение по использованию объектов интеллектуальной собственности Grandis в микросхемах памяти Hynix. В частности, соглашение касается [[технологии STT-RAM]] (spin-transfer torque random access memory).

 

8 апреля

Honeywell представила радиационностойкие ASIC и память

Представитель компании Honeywell International, выступая с докладом на Национальном космическом симпозиуме (24th National Space Symposium, 7-10 апреля 2008, Колорадо-Спрингс) представил разработанные микроэлектронной группой компании [[радиационностойкие ASIC HX5000]] и схемы памяти.

П

о своим основным параметрам, плотности и эффективности, представленные приборы соответствуют коммерческим CMOS чипам. ASIC HX5000 – первая радиационностойкая микросхема, которая полностью обеспечена средствами проектирования, разработанными совместно Honeywell и Synopsys.

Микросхема изготовлена на фабрике Honeywell в Примуте под контролем National Security Agency (Агентства национальной безопасности), что означает ограничение доступа к технологии не только на фабрике и центре испытаний, но и по всей цепочке применения прибора, поскольку HX5000 может использоваться в авиакосмических системах оружия, например, ракетах и военных спутниках, с высоким уровнем секретности.

Семейство ASIC состоит из приборов с максимальным числом затворов до 15 млн.и SRAM различной емкости  В состав кристалла также входят макроячейки serializer-deserializer и I/O со скоростью обмена информацией до 3 Гбит/с. Все приборы изготовлены по 150 нм  SOI (silicon-on-insulator) CMOS процессу, прошедшему аттестацию QML.

Кроме ASIC, Honeywell представила две радиационностойкие схемы SRAM емкостью 4 и 16 Мбит для замены нынешних 256 Kбит и 1 Мбит приборов. HXS6408 (4 Мбит) и HXS1608 (16 Мбит) изготовлены по тому же SOI CMOS процессу, что и ASIC HX5000.

Оцените материал:

ee

Комментарии

0 / 0
0 / 0

Прокомментировать







 

 
 




Rambler's Top100
Руководителям  |  Разработчикам  |  Производителям  |  Снабженцам
© 2007 - 2018 Издательский дом Электроника
Использование любых бесплатных материалов разрешено, при условии наличия ссылки на сайт «Время электроники».
Создание сайтаFractalla Design | Сделано на CMS DJEM ®
Контакты