Qualcomm перечисляет основные трудности в производстве микросхем


Во время своего выступления на Международной конференции по электронным устройствам (International Electron Device Meeting, IEDM) Джим Клиффорд (Jim Clifford), старший вице-президент и генеральный директор операционного отдела, компания Qualcomm Inc., затронул больные вопросы полупроводниковой отрасли.

С точки зрения перспектив развития фаблесс-компаний, он обеспокоен проблемами дальнейшего сокращения размеров ИС, литографии и другими вопросами производства. Qualcomm является фаблесс-компанией, которая пользуется услугами нескольких кремниевых фабрик (фаундри) – Freescale, GlobalFoundries, SMIC, TSMC и UMC.

Qualcomm недавно приступила к производству новой модели своего чипсета Snapdragon на базе 28-нм технологии. Первой фабрикой, на которой будут производиться эти компоненты, стала TSMC.

На конференции IEDM Клиффорд перечислил несколько проблем, с которыми на производстве ИС сталкиваются такие поставщики полупроводников как Qualcomm.

1. Стоимость
Стоимость кристаллов остается решающим фактором производства. При переходе с 90 нм на нынешние технологии стоимость транзисторов сократилась на 29% из расчета на один элемент. Клиффорда беспокоит ситуация, в которой кривая стоимости перестанет снижаться, выйдя на горизонтальный участок. По его мнению, отраслевым компания следует заняться вопросами сокращения стоимости производства полупроводников.

Похвально, что достигнуты определенные успехи в разработке транзисторов FinFET, 450-мм пластин и других технологий, однако эти инновации могут привести к резкому удорожанию продукции.

2. Сотрудничество
Отраслевые компании должны сотрудничать в вопросах технологического совершенствования и снижения стоимости изделий. Благодаря этому сотрудничеству появится экосистема.

3. Литография
Как и все ведущие поставщики кристаллов, Qualcomm желает идти в ногу со временем. Возможно, метод 193-нм иммерсионной литографии вкупе с методом двойного шаблона и годится для создания современных устройств, но он слишком дорогостоящий. EUV-технология (субмикронная ультрафиолетовая литография) окончательно не разработана, и ее создание находится под очень большим вопросом.

4. Новые материалы
Существует проблема использования новых материалов в ИС. В 1980-х гг. поставщики полупроводников использовали всего лишь 10 элементов из периодической системы Менделеева. В 1990-х гг. эта цифра выросла до 15. В настоящее время в производстве ИС применяются уже 55 элементов.

5. Срок службы аккумуляторов
Индустрия находится в самом разгаре кризиса, связанного с управлением электропитанием устройств. До сих пор не решены вопросы, относящиеся к ресурсу батарей. Необходимы открытия, которые кардинально изменили бы это положение.

6. Оптимизация цепей
Отраслевые компании нашли сспособы снизить токи утечки и потребление путем отключения блоков базовой логики (clock gating) для экономии энергии, а также с помощью других методов. Индустрия должна совершенствовать производственные технологии создания кристаллов наряду с дальнейшей оптимизацией цепей.

7. Корпусирование и технология формирования сквозных отверстий в кремнии
В прошлом некоторые поставщики полупроводников продвигали технологию системы в корпусе (System-in-Package, SiP). Проблемы с пайкой оплавлением вынудили Qualcomm перейти на изготовление ИС методом перевернутого кристалла. Теперь, когда возник риск того, что производство полупроводников станет чересчур дорогостоящим, отраслевые компании должны направить совместные усилия на совершенствование 3D-устройств на основе технологии создания сквозных отверстий (Through-Silicon Via, TSV).

 

Источник: EETimes

Оставьте отзыв

Ваш емейл адрес не будет опубликован. Обязательные поля отмечены *