Samsung передает в производство 20-нм кристалл ARM


Samsung Electronics заявила о том, что на ее фабрике было завершено тестирование ARM-процессора для производства 20-нм кристаллов по технологии high-K metal-gate.

На финальном этапе этого проекта Samsung сотрудничала с IP-лицензиаром ARM Holdings и поставщиками САПР – компаниями Cadence Design Systems и Synopsys.

При проектировании полупроводников на 20 нм требуется иной подход, чем на предыдущих нормах. По данным Samsung, 20-нм техпроцесс включает новые структуры устройства, локальные межсоединения и усовершенствованные правила трассировки. На 20 нм компания перешла на технологию gate-last HKMG, тогда как в предыдущих 32- и 28-нм процессах применялась gate-first HKMG.

В тестируемых кристаллах были установлены ARM-ядра. По данным Samsung, она использовала универсальный технологический процесс Cadence для разработки электронных устройств и процесс Synopsys Galaxy для интеграции различных компонентов и проверки того, что оба процесса справляются с поставленной задачей.

ARM приняла большое участие в этом проекте, в котором были задействованы процессоры Cortex M0, заказная память, система ввода-вывода общего назначения и ряд дискретных тестовых структур. Для разработчиков Samsung выпустила комплект проектирования на 20 нм.

Источник: EETimes

Оставьте отзыв

Ваш емейл адрес не будет опубликован. Обязательные поля отмечены *