Компания Renesas Electronics заявила о разработке технологии встраиваемой флэш-памяти на 40 нм.
Renesas сообщает, что эта технология будет использоваться в микроконтроллерах систем автомобильной электроники, а опытные образцы ИС памяти появятся во второй половине 2012 г.
Технология, лежащая в основе этих микросхем памяти, позволяет сохранять данные около 20 лет, а количество циклов программируемого стирания достигает 125 тыс. Кроме того, память обеспечивает выполнение операций чтения при температуре p-n-перехода вплоть до 170°С, а также поддерживает синхронизацию скорости чтения до 120 МГц. Эта память изготовлена по технологии MONOS (Metal Oxide Nitride Oxide Silicon).
Источник: EETimes