Renesas разработала 40-нм флэш-память для автомобильной электроники


Компания Renesas Electronics заявила о разработке технологии встраиваемой флэш-памяти на 40 нм.

Renesas сообщает, что эта технология будет использоваться в микроконтроллерах систем автомобильной электроники, а опытные образцы ИС памяти появятся во второй половине 2012 г.

Технология, лежащая в основе этих микросхем памяти, позволяет сохранять данные около 20 лет, а количество циклов программируемого стирания достигает 125 тыс. Кроме того, память обеспечивает выполнение операций чтения при температуре p-n-перехода вплоть до 170°С, а также поддерживает синхронизацию скорости чтения до 120 МГц. Эта память изготовлена по технологии MONOS (Metal Oxide Nitride Oxide Silicon). 

Источник: EETimes

Оставьте отзыв

Ваш емейл адрес не будет опубликован. Обязательные поля отмечены *