Теория мемристора несостоятельна?


Блейз Мутте (Blaise Mouttet), аспирант Университета Джорджа Мейсона, опубликовал теоретическую работу, в которой указывается множество динамических систем, выходящих за понятие т.н. мемристора – двухполюсника с нелинейной ВАХ и гистерезисом.

Его доклад начинается с утверждения об ошибочности предположения Леона Чуа (Leon Chua), создателя теории мемристора, о том, что все кривые гистерезиса определяют мемристоры.

Мутте оспаривает представление о том, что мемристор является четвертым фундаментальным элементом цепи после резистора, конденсатора и индуктивности. Аспирант утверждает, что устройство, которое разрабатывается в лабораториях компании HP, нельзя классифицировать как мемристор, т.к. оно относится к более широкому классу систем с переменным сопротивлением.

Теория мемристора была сформулирована профессором Леоном Чуа, который определил фундаментальный нелинейный элемент цепи с помощью теории электромагнетизма. Компания Hewlett Packard с 2008 г. пытается на основе мемристора создать технологию резистивной памяти RAM металло-оксидного типа.

В 2010 г. Мутте уже выступил с докладом на симпозиуме ISCAS (International Symposium on Circuits and Systems), в котором оспаривалось название того элемента, на основе которого инженеры HP Labs разрабатывают технологию RAM, а также утверждалось, что Samsung, а не HP, является собственником патента на резистивную память на основе оксида титана (патент США 7,417,271).

Некоторые исследователи поддержали позицию Мутте, заявив, что попытка определить любой двухполюсник, в котором сопротивление меняется в зависимости от величины протекающего тока, как мемристор, не позволяет объяснить существование разных типов устройств.

К этим типам устройств относятся резистивная память RAM (RRAM, или ReRAM), память с изменением фазового состояния (PCM), или PCRAM, память с проводящим мостом (conductive-bridging RAM, CBRAM), а также сегнетоэлектрическая RAM (FRAM).

Источник: EETimes

Оставьте отзыв

Ваш емейл адрес не будет опубликован. Обязательные поля отмечены *