Toshiba начала массовое производство флэш-памяти NAND 19 нм


Компания Toshiba разработала и начала массовый выпуск 128-Гбит чипов NAND с трёхразрядными ячейками.

В основе работы данных ИС лежит трёхступенчатый программный алгоритм. Между транзисторами сделан воздушный зазор, ослабляющий перекрёстные связи между ячейками до 5% от изначального уровня. Максимальная скорость записи составляет 18 Мбайт/с .

Благодаря оптимизации структуры периферийных схем удалось уменьшить площадь кристалла на 20% по сравнению представленными на рынке моделями.

«Микросхемы NAND 128 Гбит обеспечивают очень высокую скорость записи (18 Mбайт/с). Она достигается за счёт  использования запатентованной передовой архитектуры SanDisk ABL (all bit line). Это значит, что технология Х3 может быть применена к некоторым категориям продуктов, в которых используются микросхемы флэш-памяти MLC NAND», — говорится в докладе SanDisk.

Подробное описание технологии представлено в рамках международной конференции по твердотельной электронике ISSCC в Сан-Франциско.

Источник: DigiTimes

Читайте также:
Спрос на флэш-память NAND вырастет в 2012 г.
Парадокс в производстве флэш-памяти типа NAND

Оставьте отзыв

Ваш емейл адрес не будет опубликован. Обязательные поля отмечены *