Исследовательская группа, выделившаяся из научно-исследовательского института IMEC, начинает промышленное производство нитрид-галлиевых пластин диаметром 150 мм.
Стартап EpiGaN NV, выделившийся из научно-исследовательского института IMEC в 2010 г., официально открыл производственные мощности для изготовления нитрид-галлиевых структур на кремниевых пластинах в научно-исследовательском кампусе в г.Хасселт, Бельгия.
 |
Нитрид-галлиевые структуры по сравнению с кремниевыми структурами, как ожидается, позволят повысить эффективность электронных узлов, что, в первую очередь, найдёт применение при создании источников питания, драйверов моторов, инверторов для солнечных энергетических станций и экологического транспорта. Выращивание эпитаксиального слоя GaN на кремниевой подложке EpiGaN ставит своей целью добавить к существующим производственным масштабам по изготовлению кремниевых структур возможность изготовления высокопроизводительных структур на основе GaN.
Технология EpiGaN позволяет размещать эпитаксиальные слои GaN на кремниевых пластинах или на SiC-пластинах до 150 мм в диаметре. Технология для изготовления пластин диаметром 200 мм находится в стадии разработки.
Источник: EE Times
Читайте также:
Рынок силовой GaN-электроники ждут большие перемены
Силовые транзисторы на базе GaN: новая платформа для преобразователей напряжения
International Rectifier о GaN силовых приборах
Рынок реакторов MOCVD дла GaN LED достигнет дна в первой половине 2012 г.
Лампы Soraa, или новая глава в истории светодиодных технологий