Spansion начинает поставки NAND-памяти с одноуровневыми ячейками

Компания Spansion заявила о начале поставок опытных образцов флэш-памяти NAND с одноуровневыми ячейками в соответствии с договором о сотрудничестве с южнокорейской компанией SK Hynix.

Выпускаемые компанией Hynix устройства, протестированные и корпусированные Spansion, используются в 4Х-нм технологии плавающего затвора. Эти устройства предназначены для хранения данных в автомобильной, потребительской электронике и в сетевых приложениях.

Семейства 1–8-Гбит флэш-памяти NAND с одноуровневыми ячейками (single-level cell, SLC) на 3,0 и 1,8 В характеризуются высокой производительностью, работают в расширенном диапазоне температур, отвечают жестким требованиям по надежности (1-бит код исправления ошибок) и обеспечиваются долгосрочной технической поддержкой.

Spansion также опубликовала стратегический план совершенствования SLC NAND. В соответствии с ним компания намеревается производить 4Х-нм SLC-устройства до 2017 г. Поставки опытных 3Х-нм образцов начнутся в этом году, а 2Х-нм образцов – в 2014 г. Все эти семейства будут выпускаться до 2017 г.

Стратегический план совершенствования NAND-памяти Spansion. Источник: Spansion

По словам Туида Разы (Touhid Raza), директора отдела маркетинга компании Spansion, в отличие от серийно выпускаемой памяти NAND, производство которой прекращается с появлением продукции нового поколения, NAND-устройства для рынка встраиваемых систем характеризуются большим сроком службы – 1,5 годами и более. Заказчикам такой продукции требуется гарантия того, что она будет выпускаться в достаточно больших количествах.

В отличие от серийной NAND-памяти, которая, как правило, представляет собой менее надежные устройства на основе многоуровневых ячеек (multi-level cell, MLC), встраиваемая SLC NAND-память имеет более высокую производительность и больший срок службы.

NAND-продукция Spansion дополнит флагманскую NOR-память, предназначенную для рынка встраиваемых систем.

По мнению Майкла Янга (Michael Yang), старшего аналитика IHS iSuppli, у SLC NAND имеется большой потенциал роста во встраиваемых приложениях сегментов автомобильной и потребительской электроники. В первую очередь, эта память найдет применение в приложениях, требующих от запоминающих устройств продолжительного срока службы, – в умных домах и интеллектуальных электронных системах автомобилей.

Анонсируя сделку с SK Hynix (бывшей Hynix Semiconductor), компания Spansion заявила о том, что продолжит разработку NAND-технологии захвата заряда. В прошлом году Spansion заключила договор с японской компанией Elpida Memory о создании SLC NAND-устройств на основе технологии захвата заряда MirrorBit. Однако Elpida через некоторое время обанкротилась.

В настоящее время Spansion начала поставки 3-В 1-, 2- и 4-Гбит монолитных ИС SLC NAND-памяти. В конце текущего года компания начнет поставлять опытные образцы 1–4-Гибт кристаллов на 1,8 В, а во второй половине 2012 г. – 8-Гбит решения. SLC NAND-устройства работают в промышленном диапазоне температур –40…85°С, срок их службы составляет 100 тыс. циклов. Устройства выпускаются в 48-выводных корпусах TSOP.

Источник: EE Times

Оставьте отзывОтмена