Nikon будет сотрудничать с Intel над созданием оборудования для производства 450-мм пластин


В оборудовании для жесткой ультрафиолетовой литографии, необходимой для производства 450-мм, пластин будут применяться степперы фирмы Nikon.

Японская экономическая газета Nikkei Shimbun сообщила, что корпорация Nikon, являющаяся вторым в мире (после ASML) производителем степперов (установок, использующихся при изготовлении полупроводниковых интегральных схем; на степпере  проводится важный этап фотолитографии — засветка фоторезиста через маску), будет работать с корпорацией Intel над созданием нового поколения технологического оборудования для производства полупроводниковых пластин диаметром 450 мм.

В сообщении говорится, что Nikon планирует начать серийное производство изделий для Intel к 2018 году.

Установка FX-101S компании Nikon

Остаётся неясным размер финансовой поддержки, которую Intel будет оказывать корпорации Nikon. Японская газета сообщила, что Intel «очевидно, решила потратить миллиарды иен на разработки Nikon».

Пресс-секретарь компании Intel Чак Малой (Chuck Mulloy) заявил, что немедленных комментариев по поводу сообщения в Nikkei Shimbun не будет. Ранее в июле Intel согласилась приобрести 15% акций ASML Holding NV в рамках сделки по ускорению разработки технологии и оборудования жесткой ультрафиолетовой  литографии (EUV), необходимой для приближающегося перехода к производству 450-мм пластин. Общая сумма сделки оценивается в 4,1 млрд долл. В эту сумму включены расходы (около 2,1 млрд долл.) на инвестиции в акционерный капитал в ASML, которые пойдут на оплату 10% акций ASML. По словам Intel, компания обязалась в ближайшем будущем купить еще 5% акций ASML за сумму около 1 млрд долл.

Ранее на этой неделе гигант среди мировых контрактных производителей, компания Taiwan Semiconductor Manufacturing Co. Ltd., в рамках аналогичного соглашения, объявила о своем намерении купить 5% акций ASML.

Источник: EE Times

Читайте также:
Список крупнейших компаний, пострадавших в Японии
Высокопроизводительные EUV-системы появятся в 2016 г.
Создан источник излучения для EUV-литографии
Создан полупроводниковый нанолазер для фотоники и медицины

Оставьте отзыв

Ваш емейл адрес не будет опубликован. Обязательные поля отмечены *