Toshiba занялась карбидом кремния для силовой электроники

Toshiba начала массовое производство карбид-кремниевых (SiC) силовых компонентов в г. Химедзи в префектуре Хиого, ожидая рост спроса на промышленные и автомобильные устройства.

Карбид-кремниевые силовые компоненты обеспечивают более стабильную работу, чем существующие кремниевые устройства – даже при высоких значениях напряжения и тока – так как они имеют значительно меньше тепловыделение. Они отвечают разнообразным потребностям промышленности в меньших, более эффективных устройствах связи и могут применяться в промышленных устройствах – от серверов до инверторов и от железнодорожного транспорта до автомобильных систем.

Эксперты полагают, что рынок карбид-кремниевых силовых устройств возрастет от сегодняшнего уровня в 10 раз к 2020 г. Toshiba намеревается удержать 30% рынка в 2020 г. благодаря усилению своей линейки продукции, начиная с запуска в производство новых диодов Шоттки.

Toshiba сначала будет производить диоды Шоттки (Schottky Barrier Diodes, SBD). Они могут применяться, в том числе, для регуляторов напряжения в фотоэлектрических системах генерации. Диоды Шоттки также могут заменять кремниевые диоды в импульсных источниках питания, где они на 50% эффективнее.

На рисунке: Линия компромисса. Синяя линия – традиционные диоды Шоттки, красная линия – новые серии. Вертикальная ось – обратный ток (мкА) при напряжении 30 В. Горизонтальная ось – прямое падение напряжения (В) при токе 10мА.

Технические характеристики новых SBD на SiC от Toshiba

Наименование изделия	TRS12E65C
Максимальное повторяющееся обратное напряжение (VRRM)	650 В
Максимальный прямой ток (IFM)	12 А
Прямое падение напряжения (VF)	макс. 1,7 В при I пр = 12 А
Максимальный повторяющийся обратный ток (IRRM)	макс. 90 мкА при U обр = 650 В
Начало серийного производства	март 2013 г.
Масштаб производства	1 млн штук

Источник: Electronics Weekly

Оставьте отзывОтмена