Вход |  Регистрация
 
 
Время электроники Понедельник, 18 ноября
 
 


Это интересно!

Новости


Обзоры, аналитика


Интервью, презентации

Ранее

CEA-Leti продлевает действие 193-нм литографии ниже 20 нм

Результаты научно-исследовательских и опытно-конструкторских работ показали возможность применения 193-нм иммерсионной литографии для техпроцессов с нормами менее 20 нм (1X нм).

Электронная промышленность продолжает восстанавливаться после кризиса еврозоны 2012 года

Активность производителей на выставке Productronica говорит о возвращении уверенности в будущем и оптимистичного настроя в электронной промышленности.

Индекс заказов SEMI остается высоким

Индекс заказов SEMI (Международной ассоциации полупроводникового оборудования и материалов) в июне устойчиво держится на отметке 1,10, что означает получение заказов на 110 долл на каждые 100 долл. оплаченной продукции.

Реклама

По вопросам размещения рекламы обращайтесь в отдел рекламы

Реклама наших партнеров

 

30 июля 2013

Fujitsu обратилась к SuVolta чтобы уменьшить вдвое энергопотребление Cortex-A0

Транзисторы с глубоко обедненным каналом (DDC) позволили Fujitsu вдвое сократить потребление энергии 65-нм ядра ARM Cortex-M0.

Т

ехнология по лицензии SuVolta снижает разброс технологических параметров благодаря удалению атомов легирующей примеси из канала без необходимости перехода к FinFET-транзисторам или подложкам КнИ (кремний-на-изоляторе).

Без отклонений пороговых значений транзисторов, вызванных легированием, все приборы на кристалле имеют близкие значения утечек и скорости, поэтому нет необходимости превышать напряжение на большей части транзисторов, чтобы позволить самому медленному вложиться во временные ограничения.

1 - нелегированная область; 2 - область установки порогового напряжения; 3 - экранирующая область.

Fujitsu изготовила Cortex-A0 на мультипроектных 65-нм подложках, используя для сравнения свой стандартный техпроцесс рядом с DDC, используя отдельные участки (с медленными, средними и быстрыми подложками) для сбора статистической информации.

Стандартному техпроцессу потребовалось 1,2 В, чтобы разогнаться до 350 МГц, что соответствует мощности 8 мВт. Версия DDC работала с частотой 350 МГц на 4 мВт и 0,9 В, – рассказал для главный конструктор компании SuVolta Дэвид Кидд (David Kidd). – И это с тем же GDSK (комплект средств разработки), и по сути с тем же набором масок, за исключением некоторых отличий в дополнительных масках».

Цена за использование DDC – это смена порядка использования масок, и дополнительная стадия эпитаксии.

«Эпитаксиальный слой имеет очень чистую поверхность и очень хорошую однородность. Он не создает проблем, – сказал Кидд. – В целом, наша технология не критична к маскам. Вы можете добавить одну или убрать».

Другие характеристики подтверждают, что DDC-версия экспериментального Cortex-M0 имеет на 35% большую скорость работы при мощности 8 мВт (1,1В) и на 55% большую скорость при 1,2 В (11 мВт).

Смещение подложки может повлиять на большинство предельных отклонений (см. график).

Зависимость мощности (мВт) от частоты (МГц). Красная линия – базовый техпроцесс, зеленая – DDC. Верхнее примечание – 55% увеличение производительности, при том же напряжении, нижнее примечание – 35% увеличение производительности при той же мощности. Мощность измерена в наиболее быстром участке, частота ограничена наиболее медленным участком.

«Смещение подложки можно получить автоматически с помощью генератора смещения на кристалле, поэтому с точки зрения пользователей им необходимо просто приложить 0,9 В», – заявил Кидд.

Рассматривая исключительно SRAM на кристалле, опять же, на 65-нм базовом техпроцессе, для хранения данных при высоких температурах, по утверждению Кидда, необходимо снижение напряжения питания на 150 мВ (см. график).

Зависимость мощности хранения данных (мкВт) от напряжения смещения подложки Vbs (В). Красная линия – мощность хранения данных базового техпроцесса, зеленая линия – DDC (на 53% ниже, на 87% ниже)

Зависимость выхода годных (%) от напряжения (В)

Зависимость мощности (мВт) от частоты (МГц). Воздействие смещения подложки на предельные отклонения в DDC. Красная линия – базовый процесс: наиболее быстрый (непрерывная линия) и наиболее медленный (пунктирная линия). Зеленая линия – DDC: наиболее быстрый (непрерывная линия) и наиболее медленный (пунктирная линия)

«SRAM оказалась первым компонентом, который дал сбой при снижении напряжения питания, – сообщил он. – На 87% упала мощность в режиме хранения. То же самое вы получите, если просто выключите RAM, которая потребляет на 95% меньше».

Для оценки эффективности техпроцесса DDC был использован процессор ARM. Технология DDC на Fujitsu будет запущена на техпроцессе 55 нм. «Сейчас Fujitsu проводит испытания чипов, которые она действительно запустит в производство в этом году», – сообщил Кидд, правда не открыв информацию о том, какой именно чип это будет.

Читайте также:
Будущее технологий изготовления ИС: битва между Intel, IBM и ST
Fujitsu и Panasonic создают фаблес-компанию по производству ИС
Spansion покупает аналоговый и микроконтроллерный бизнес Fujitsu
В Японии возродили план СП по производству ИС для мобильной электроники
Fujitsu хочет выйти из полупроводникового бизнеса
Fujitsu разработала энергосберегающую технологию производства 32-нм чипов

Источник: Electronics Weekly

Комментарии

0 / 0
0 / 0

Прокомментировать







 

Горячие темы

 
 




Rambler's Top100
Руководителям  |  Разработчикам  |  Производителям  |  Снабженцам
© 2007 - 2019 Издательский дом Электроника
Использование любых бесплатных материалов разрешено, при условии наличия ссылки на сайт «Время электроники».
Создание сайтаFractalla Design | Сделано на CMS DJEM ®
Контакты