Вход |  Регистрация
 
 
Время электроники Четверг, 14 ноября
 
 


Это интересно!

Ранее

Завершилось разделение ST-Ericsson

ST-Ericsson завершила реструктуризацию и передачу бизнеса, активов и сотрудников в компании Ericsson, STMicroelectronics и сторонним покупателям вслед за решением от 18-го марта 2013 г. о сворачивании совместного предприятия.

Большие перемены в первой двадцатке полупроводниковых компаний

По данным IC Insights, доходы каждой из компаний Hynix, Qualcomm, MediaTek и TSMC за первую половину 2013 г. превысили 20% по сравнению с показателем прошлого года.

Прибыль Micron выросла после приобретения Elpida

По словам Марка Адамса (Mark Adams), президента компании Micron Technology, ее деятельность впервые стала рентабельной.

Реклама

По вопросам размещения рекламы обращайтесь в отдел рекламы

Реклама наших партнеров

 

7 августа 2013

Samsung приступила к серийному производству памяти на 3D-кристаллах

Компания Samsung сообщила о запуске серийного производства первых в отрасли кристаллов памяти 3D Vertical NAND (V-NAND) с объемной структурой и емкостью 16 Гбайт.

К

омпания утверждает, что масштабирование флэш-памяти NAND, которая изготавливается по норме 10 нм на планарной структуре, достигло предела из-за взаимодействия между ячейками. Однако в новых устройствах V-NAND эти ограничения преодолены.

ИС памяти 3D V-NAND предназначены для промышленного оборудования, потребительской электроники, в т.ч. для твердотельных накопителей (SSD). Новинки построены на ячейках с вертикальной структурой на базе технологии 3D Charge Trap Flash (CTF) и технологии вертикальных межсоединений для создания объемного массива ячеек.

В дальнейшем Samsung станет выпускать ИС памяти 3D V-NAND с повышенной производительностью и плотностью.

Samsung усовершенствовала архитектуру собственной разработки CTF, которая появилась в 2006 г. В этой структуре флэш-памяти NAND электрический заряд временно удерживается с помощью непроводящего слоя из нитрида кремния (SiN). При этом не используется плавающий затвор, чтобы предотвратить взаимодействие между соседними ячейками.

Объемный слой CTF позволяет повысить надежность в 2–10 раз и в 2 раза увеличить скорость чтения по сравнению со стандартной 10-нм флэш-памятью NAND с плавающим затвором.

Кроме того, одним из наиболее важных технологических достижений в новых ИС памяти стала реализация технологии межсоединений Samsung, благодаря которой обеспечивается вертикальное расположение ячеек в 24 слоях. При этом через специальные отверстия проводник может проходить сквозь другие слои и, например, соединять ячейки первого и последнего слоя. Таким образом, значительно повышается плотность хранения данных.

У новых микросхем 3D V-NAND имеются свои ограничения. Samsung считает, что эти ограничения станут критичными к концу текущего десятилетия.

Источник: Sammyhub

Читайте также:
Недорогая и плотная 3D-память стала ближе на один шаг
Что внутри 20-нм 3D-флеш-памяти NAND от Intel?
3D-память Micron заинтересовала еще две компании
TSMC предложит сборку 3D-микросхем в начале 2013 г.
Создана система для 3D-печати электронных схем
Samsung и Toshiba снизят темпы производства NAND

Комментарии

0 / 0
0 / 0

Прокомментировать







 

Горячие темы

 
 




Rambler's Top100
Руководителям  |  Разработчикам  |  Производителям  |  Снабженцам
© 2007 - 2019 Издательский дом Электроника
Использование любых бесплатных материалов разрешено, при условии наличия ссылки на сайт «Время электроники».
Создание сайтаFractalla Design | Сделано на CMS DJEM ®
Контакты