Физики из университета Огайо предложили теоретическое объяснение явлению возникновения магнитных свойств на границе двух веществ, которые по отдельности этими свойствами не обладают.
Работа опубликована в журнале Nature Physics, а ее краткое содержание можно прочитать на сайте Phys.Org.
 |
Ученые исследовали взаимодействие двух веществ: алюмината лантана (LaAlO3) и титаната стронция (SrTiO3). В обычных условиях оба вещества не проявляют магнитных свойств и не проводят электрический ток. Однако если наложить слой одного вещества на другой, то на границе между ними атомы приобретают магнитный момент и, кроме того, возникают электропроводящие свойства. «Это похоже на то, как если бы между двумя сложенными кусками хлеба сам собой появился джем с маслом», – объяснил суть феномена один из соавторов работы, Мохит Рандериа (Mohit Randeria).
Основываясь на теории молекулярных орбиталей, ученые показали, как именно на границе немагнитных веществ упорядочиваются спины электронов и она неожиданно приобретает магнитные свойства. При этом образуется необычный спиральный узор.
По мнению авторов, это явление можно использовать для создания нового типа электронных устройств, в которых будет задействована граница между двумя оксидами. Теоретически такие устройства будут сочетать вычислительные свойства кремниевого кристалла с возможностями устройств с магнитной записью. Для этого ученым предстоит подтвердить теоретические выводы экспериментально.
По словам Рандериа, использование эффекта электропроводности и магнетизма в одном устройстве позволит интегрировать компьютерную память в блок процессора. На сегодняшний день наиболее изученным способом сочетания обработки и хранения информации в одном электронном компоненте является использование мемристоров – резисторов с эффектом памяти. Например, сети мемристоров могут решать некоторые задачи из теории графов.
Источник: Lenta.ru
Читайте также:
Новая электроника: из цепей мемристоров создадут принципиально новые компьютеры
Ученые предложили принципиальную схему электронного мозга
ARM, Atom и мемристоры — будущее серверов, считают в HP Labs
Исследователи заявили о создании кремниевого мемристора
Мемристору – двести лет
Мемристоры скоро заменят DRAM и флеш-память
Память на мемристорах будет работать подобно мозгу человека
Создан первый гибкий мемристор
И снова — шумный спор о мемристорах
Теория мемристора несостоятельна?
Hewlett-Packard ответила на критику о несостоятельности теории мемристоров
HP и Hynix объединяются для коммерциализации мемристора
Электроника будущего: недорогая, «зеленая», прозрачная